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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4666DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4666DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4666DY-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4884BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4884BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4884BDY-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC8554
  仓库库存编号：FDMC8554CT-ND
  别名：FDMC8554CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 16.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP17P10
  仓库库存编号：FQP17P10-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 16.5A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA16N50_F109
  仓库库存编号：FDA16N50_F109-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4884BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4884BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT
  详细描述：通孔 N 沟道 16.5A（Tc） 205W（Tc） TO-3
  
  型号：FDA16N50LDTU
  仓库库存编号：FDA16N50LDTU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP17N08L
  仓库库存编号：FQP17N08L-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP17N08
  仓库库存编号：FQP17N08-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 3.75W（Ta），65W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB17N08LTM
  仓库库存编号：FQB17N08LTM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 3.75W（Ta），65W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI17N08LTU
  仓库库存编号：FQI17N08LTU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 3.13W（Ta），65W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI17N08TU
  仓库库存编号：FQI17N08TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 3.13W（Ta），65W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB17N08TM
  仓库库存编号：FQB17N08TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 16.5A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB17P10TM
  仓库库存编号：FQB17P10TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 16.5A（Tc） 205W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA16N50
  仓库库存编号：FDA16N50-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.5A（Tc）,
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