规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.3A(Ta) 500mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN2300UFB4-7B
仓库库存编号:
DMN2300UFB4-7BDICT-ND
别名:DMN2300UFB4-7BDICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN352AP
仓库库存编号:
FDN352APCT-ND
别名:FDN352APCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMP10A17E6TA
仓库库存编号:
ZXMP10A17E6CT-ND
别名:ZXMP10A17E6CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR1P02LT1G
仓库库存编号:
NTR1P02LT1GOSCT-ND
别名:NTR1P02LT1GOS
NTR1P02LT1GOS-ND
NTR1P02LT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMP10A17E6QTA
仓库库存编号:
ZXMP10A17E6QTADICT-ND
别名:ZXMP10A17E6QTADICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD120PBF
仓库库存编号:
IRFD120PBF-ND
别名:*IRFD120PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RZF013P01TL
仓库库存编号:
RZF013P01TLCT-ND
别名:RZF013P01TLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD123PBF
仓库库存编号:
IRFD123PBF-ND
别名:*IRFD123PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 1.3A(Ta) 540mW(Ta) 3-DFN1006(1.0x0.6)
型号:
DMN2600UFB-7
仓库库存编号:
DMN2600UFB-7DICT-ND
别名:DMN2600UFB-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.3A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2303CX RFG
仓库库存编号:
TSM2303CX RFGTR-ND
别名:TSM2303CX RFGTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.3A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2303CX RFG
仓库库存编号:
TSM2303CX RFGCT-ND
别名:TSM2303CX RFGCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.3A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2303CX RFG
仓库库存编号:
TSM2303CX RFGDKR-ND
别名:TSM2303CX RFGDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
型号:
ES6U1T2R
仓库库存编号:
ES6U1T2RCT-ND
别名:ES6U1T2RCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3
型号:
NVTR01P02LT1G
仓库库存编号:
NVTR01P02LT1GOSCT-ND
别名:NVTR01P02LT1GOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN336P
仓库库存编号:
FDN336PCT-ND
别名:FDN336PCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS331N
仓库库存编号:
NDS331NCT-ND
别名:NDS331NCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD120PBF
仓库库存编号:
IRLD120PBF-ND
别名:*IRLD120PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD120
仓库库存编号:
IRFD120-ND
别名:*IRFD120
IRFD121
IRFD122
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD120
仓库库存编号:
IRLD120-ND
别名:*IRLD120
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN336P-NL
仓库库存编号:
FDN336P-NL-ND
别名:376S0091
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