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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9014PBFCT-ND
  别名：*IRFR9014TRPBF
  IRFR9014PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB5N65APBF
  仓库库存编号：IRFIB5N65APBF-ND
  别名：*IRFIB5N65APBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9014PBF
  仓库库存编号：IRFU9014PBF-ND
  别名：*IRFU9014PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R1K2C3
  仓库库存编号：IPA90R1K2C3-ND
  别名：IPA90R1K2C3XKSA1
  Q4141204
  SP000413714
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Tc） 3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3457CDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3457CDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3457CDV-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90R1K2C3BTMA1
  仓库库存编号：IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
  别名：IPD90R1K2C3BTMA1CT
  IPD90R1K2C3CT
  IPD90R1K2C3CT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90R1K2C3ATMA1
  仓库库存编号：IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
  别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP90R1K2C3
  仓库库存编号：IPP90R1K2C3-ND
  别名：IPP90R1K2C3XKSA1
  SP000411302
  SP000683096
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R1K2C3
  仓库库存编号：IPW90R1K2C3-ND
  别名：IPW90R1K2C3FKSA1
  SP000413754
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Tc） 2W（Ta），3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3457CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3457CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3457CDV-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9014TRLPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90R1K2C3XKSA1
  仓库库存编号：IPI90R1K2C3XKSA1-ND
  别名：IPI90R1K2C3
  IPI90R1K2C3-ND
  SP000413724
  SP000683080
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.1A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIB5N65A
  仓库库存编号：IRFIB5N65A-ND
  别名：*IRFIB5N65A
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014
  仓库库存编号：IRFR9014-ND
  别名：*IRFR9014
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TR
  仓库库存编号：IRFR9014TR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TRL
  仓库库存编号：IRFR9014TRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9014
  仓库库存编号：IRFU9014-ND
  别名：*IRFU9014
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014NTRL
  仓库库存编号：IRFR9014NTRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014NTR
  仓库库存编号：IRFR9014NTR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014NTRR
  仓库库存编号：IRFR9014NTRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TRR
  仓库库存编号：IRFR9014TRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.1A（Tc） 1.5W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1470DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1470DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1470DH-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.1A（Tc） 1.5W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1470DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1470DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1470DH-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014N
  仓库库存编号：IRFR9014N-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9014N
  仓库库存编号：IRFU9014N-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）,
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