规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(39)
分立半导体产品
(39)
筛选品牌
Infineon Technologies (2)
Fairchild/ON Semiconductor (4)
STMicroelectronics (4)
Vishay Siliconix (29)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9120PBFCT-ND
别名:*IRFR9120TRPBF
IRFR9120PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD6NK50ZT4
仓库库存编号:
497-6564-1-ND
别名:497-6564-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD9NM40N
仓库库存编号:
497-13426-1-ND
别名:497-13426-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510PBF
仓库库存编号:
IRF510PBF-ND
别名:*IRF510PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510SPBF
仓库库存编号:
IRF510SPBF-ND
别名:*IRF510SPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL510PBF
仓库库存编号:
IRL510PBF-ND
别名:*IRL510PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9120PBF
仓库库存编号:
IRFU9120PBF-ND
别名:*IRFU9120PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR9120TRLPBFCT-ND
别名:IRFR9120TRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 5.6A(Tc) 74W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIHJ6N65E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHJ6N65E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHJ6N65E-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 10.42W(Tc) SOT-223-4
型号:
FDT1600N10ALZ
仓库库存编号:
FDT1600N10ALZCT-ND
别名:FDT1600N10ALZCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 27W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R800CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R800CEXKSA1-ND
别名:SP001276046
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI634GPBF
仓库库存编号:
IRFI634GPBF-ND
别名:*IRFI634GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP9NM40N
仓库库存编号:
497-13590-5-ND
别名:497-13590-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF510STRRPBF
仓库库存编号:
IRF510STRRPBFCT-ND
别名:IRF510STRRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 48W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R800CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R800CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R800CEATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2318CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2318CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2318CDS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRL510SPBF
仓库库存编号:
IRL510SPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRL510STRLPBF
仓库库存编号:
IRL510STRLPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.6A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP6NK50Z
仓库库存编号:
497-4385-5-ND
别名:497-4385-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510
仓库库存编号:
IRF510-ND
别名:*IRF510
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL510
仓库库存编号:
IRL510-ND
别名:*IRL510
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120
仓库库存编号:
IRFR9120-ND
别名:*IRFR9120
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510S
仓库库存编号:
IRF510S-ND
别名:*IRF510S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 5.6A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI634G
仓库库存编号:
IRFI634G-ND
别名:*IRFI634G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 5.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9120TR
仓库库存编号:
IRFR9120TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.6A(Tc),
含铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号