规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta),100A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC025N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC025N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC025N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03LSGINCT
BSC025N03LSGINCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta),100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC024NE2LS
仓库库存编号:
BSC024NE2LSCT-ND
别名:BSC024NE2LSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta),100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC026N02KS G
仓库库存编号:
BSC026N02KS GCT-ND
别名:BSC026N02KS GCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta),100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC020N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC020N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSGINCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta),100A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.1W(Ta),167W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH6004SPS-13
仓库库存编号:
DMTH6004SPS-13DICT-ND
别名:DMTH6004SPS-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta),100A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.1W(Ta),167W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH6004SPSQ-13
仓库库存编号:
DMTH6004SPSQ-13DICT-ND
别名:DMTH6004SPSQ-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta),100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB026N06NATMA1
仓库库存编号:
IPB026N06NATMA1CT-ND
别名:IPB026N06N-ND
IPB026N06NATMA1CT
IPB026N06NCT
IPB026N06NCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta),100A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N03S G
仓库库存编号:
BSC027N03S G-ND
别名:BSC027N03SGXT
SP000095462
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta),100A(Tc),
无铅
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