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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR2405TRPBF
  仓库库存编号：IRFR2405PBFCT-ND
  别名：*IRFR2405TRPBF
  IRFR2405PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1018ETRPBF
  仓库库存编号：IRFR1018ETRPBFCT-ND
  别名：IRFR1018ETRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9614-60E,118
  仓库库存编号：1727-7259-1-ND
  别名：1727-7259-1
  568-9888-1
  568-9888-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3607TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3607TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3607TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 143W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4510TRPBF
  仓库库存编号：IRFR4510TRPBFCT-ND
  别名：IRFR4510TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3707ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR3707ZTRPBFCT-ND
  别名：*IRFR3707ZTRPBF
  IRFR3707ZPBFCT
  IRFR3707ZPBFCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 98W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR7446TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7446TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7446TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 56A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU2405PBF
  仓库库存编号：IRFU2405PBF-ND
  别名：*IRFU2405PBF
  64-4137PBF
  64-4137PBF-ND
  SP001571782
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V LFPAK56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 56A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN019-100YLX
  仓库库存编号：1727-2592-1-ND
  别名：1727-2592-1
  568-13043-1
  568-13043-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 56A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y19-100E,115
  仓库库存编号：1727-1855-1-ND
  别名：1727-1855-1
  568-11546-1
  568-11546-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT56M50B2
  仓库库存编号：APT56M50B2-ND
  别名：APT56M50B2MI
  APT56M50B2MI-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 56A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 500W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH060N80_F155
  仓库库存编号：FCH060N80_F155-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7746TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7746TRPBFCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 56A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN56N90P
  仓库库存编号：IXFN56N90P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF75639P3
  仓库库存编号：HUF75639P3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK56A12N1,S4X
  仓库库存编号：TK56A12N1S4X-ND
  别名：TK56A12N1,S4X(S
  TK56A12N1,S4X-ND
  TK56A12N1S4X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB260NPBF
  仓库库存编号：IRFB260NPBF-ND
  别名：*IRFB260NPBF
  SP001551726
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） TO-264
  
  型号：APT56M50L
  仓库库存编号：APT56M50L-ND
  别名：APT56M50LMI
  APT56M50LMI-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75639S3ST
  仓库库存编号：HUF75639S3STCT-ND
  别名：HUF75639S3STCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3607PBF
  仓库库存编号：IRFU3607PBF-ND
  别名：64-4147PBF
  64-4147PBF-ND
  SP001557738
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7746PBF
  仓库库存编号：IRFR7746PBF-ND
  别名：SP001576124
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） TO-262AA
  
  型号：HUF75639S3
  仓库库存编号：HUF75639S3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：HUFA75639S3ST_F085A
  仓库库存编号：HUFA75639S3ST_F085ACT-ND
  别名：HUFA75639S3ST_F085ACT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75639S3ST
  仓库库存编号：HUFA75639S3STCT-ND
  别名：HUFA75639S3STCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 62W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M10-40EX
  仓库库存编号：1727-2555-1-ND
  别名：1727-2555-1
  568-12999-1
  568-12999-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）,
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