规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4427BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4427BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4427BDY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Ta) 80W(Tc) DPAK
型号:
TK10P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK10P60WRVQCT-ND
别名:TK10P60WRVQCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4419
仓库库存编号:
785-1024-1-ND
别名:785-1024-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMT8012LSS-13
仓库库存编号:
DMT8012LSS-13DICT-ND
别名:DMT8012LSS-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.7A(Ta) 1.5W(Ta)
型号:
SI4427BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4427BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4427BDY-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 100W(Tc) TO-220
型号:
TK10E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK10E60WS1VX-ND
别名:TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60W5,S5VX
仓库库存编号:
TK10A60W5S5VX-ND
别名:TK10A60W5,S5VX(M
TK10A60W5S5VX
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Ta) 1.68W(Ta) TO-252-3
型号:
DMG4468LK3-13
仓库库存编号:
DMG4468LK3-13DICT-ND
别名:DMG4468LK3-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Ta) 88.3W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK10V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK10V60WLVQCT-ND
别名:TK10V60WLVQCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 30W(Tc) TO-220
型号:
TK10A60W,S4X
仓库库存编号:
TK10A60WS4X-ND
别名:TK10A60WS4X
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 80W(Tc) I-Pak
型号:
TK10Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK10Q60WS1VQ-ND
别名:TK10Q60W,S1VQ(S
TK10Q60WS1VQ
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK10A60WS4VX-ND
别名:TK10A60W,S4VX(M
TK10A60WS4VX
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 9.7A(Ta) 1.25W(Ta),74.4W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP75N03R
仓库库存编号:
NTP75N03ROS-ND
别名:NTP75N03ROS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25V 9.7A(Ta) 1.25W(Ta),74.4W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP75N03RG
仓库库存编号:
NTP75N03RGOS-ND
别名:NTP75N03RGOS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 9.7A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9.7A(Ta) 1.3W(Ta) 8-TSSOP
型号:
FDW264P
仓库库存编号:
FDW264P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4419_003
仓库库存编号:
AO4419_003-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4419L
仓库库存编号:
AO4419L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta),
无铅
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