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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7493TRPBF
  仓库库存编号：IRF7493PBFCT-ND
  别名：*IRF7493TRPBF
  IRF7493PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF630NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF630NSTRLPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF630NPBF
  仓库库存编号：IRF630NPBF-ND
  别名：*IRF630NPBF
  SP001564792
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 36W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M156-100EX
  仓库库存编号：1727-2572-1-ND
  别名：1727-2572-1
  568-13016-1
  568-13016-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 9.3A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：AUIRFR4292TRL
  仓库库存编号：AUIRFR4292TRLTR-ND
  别名：AUIRFR4292TRLTR
  SP001520520
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 9.3A（Tc） 100W（Tc） I-Pak
  
  型号：AUIRFU4292
  仓库库存编号：AUIRFU4292-ND
  别名：SP001519718
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 9.3A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N30A
  仓库库存编号：IRFB9N30A-ND
  别名：*IRFB9N30A
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 9.3A（Tc） 96W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB9N30APBF
  仓库库存编号：IRFB9N30APBF-ND
  别名：*IRFB9N30APBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9N08L
  仓库库存编号：FQP9N08L-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9N08
  仓库库存编号：FQP9N08-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N08LTU
  仓库库存编号：FQI9N08LTU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N08TM
  仓库库存编号：FQB9N08TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N08TU
  仓库库存编号：FQI9N08TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N08LTM
  仓库库存编号：FQB9N08LTM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NS
  仓库库存编号：IRF630NS-ND
  别名：*IRF630NS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF630NL
  仓库库存编号：IRF630NL-ND
  别名：*IRF630NL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NSTRR
  仓库库存编号：IRF630NSTRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7493TR
  仓库库存编号：IRF7493TR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF630NLPBF
  仓库库存编号：IRF630NLPBF-ND
  别名：*IRF630NLPBF
  SP001559690
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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  MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 9.3A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：AUIRFR4292
  仓库库存编号：AUIRFR4292-ND
  别名：SP001520304
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.3A（Tc）,
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