规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3460DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3460DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3460DV-T1-E3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL024ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFL024ZTRPBFCT-ND
别名：IRFL024ZTRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZTAG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZTAGOSCT-ND
别名：NTLUS3A18PZTAGOSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7815TRPBF
仓库库存编号：
IRF7815TRPBFCT-ND
别名：IRF7815TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SOP
型号：
MCQ9435-TP
仓库库存编号：
MCQ9435-TPMSCT-ND
别名：MCQ9435-TPMSCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZTCG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZTCG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
型号：
DMP3065LVT-13
仓库库存编号：
DMP3065LVT-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 700mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZTBG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZTBG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.1A（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZCTCG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZCTCG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 60V 5.1A (Ta) 1.24W Surface Mount 8-SO
型号：
DMC6040SSDQ-13
仓库库存编号：
DMC6040SSDQ-13-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.1A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3460DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3460DV-T1-GE3-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.1A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
PMN35EN,125
仓库库存编号：
568-10800-1-ND
别名：568-10800-1
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.1A（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZCTAG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZCTAG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.1A（Ta） 6-UDFN（2x2）
型号：
NTLUS3A18PZCTBG
仓库库存编号：
NTLUS3A18PZCTBG-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.1A（Ta） 2.2W（Ta） 4-FlipFet?
型号：
IRF6100
仓库库存编号：
IRF6100CT-ND
别名：*IRF6100
IRF6100CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL024Z
仓库库存编号：
IRFL024Z-ND
别名：*IRFL024Z
SP001551986
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.1A（Ta） 2.2W（Ta） 4-FlipFet?
型号：
IRF6100PBF
仓库库存编号：
IRF6100PBF-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.1A（Ta） 3.6W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRFH5020TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5020TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5020TR2PBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7494TRPBF
仓库库存编号：
IRF7494TRPBFCT-ND
别名：IRF7494TRPBFCT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Ta）,
无铅
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