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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 2.8W（Ta）, 83W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD19537Q3T
  仓库库存编号：296-42632-1-ND
  别名：296-42632-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 60W（Tc） DP
  
  型号：TK50P04M1(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK50P04M1(T6RSSQ)CT-ND
  别名：TK50P04M1(T6RSSQ)CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK（3）
  
  型号：RJK0391DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0391DPA-00#J5ACT-ND
  别名：RJK0391DPA-00#J5ACT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18537NQ5AT
  仓库库存编号：296-37747-1-ND
  别名：296-37747-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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  含铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 47W（Tc） DP
  
  型号：TK50P03M1(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK50P03M1(T6RSSQ)CT-ND
  别名：TK50P03M1(T6RSSQ)CT
  TK50P03M1T6RSSQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 50A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8028-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8028-HTE12LQMCT-ND
  别名：TPCA8028-HTE12LQMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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  无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19534Q5A
  仓库库存编号：296-43636-1-ND
  别名：296-43636-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
• 含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19534Q5AT
  仓库库存编号：296-37838-1-ND
  别名：296-37838-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP202-TL-H
  仓库库存编号：869-1078-1-ND
  别名：869-1078-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 50A（Ta） 90W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ50S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ50S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ50S06M3L(T6L1NQ
  TJ50S06M3LT6L1NQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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  无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 50A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Ta） 45W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK03M1DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK03M1DPA-00#J5A-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0456DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0456DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0456DPB-00#J5-ND
  RJK0456DPB-00#J5TR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKV550N
  仓库库存编号：FKV550N-ND
  别名：FKV550N DK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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  MOSFET N-CH 50V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：EKV550
  仓库库存编号：EKV550-ND
  别名：EKV550 DK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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  MOSFET N-CH 50V 50A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKV550T
  仓库库存编号：FKV550T-ND
  别名：FKV550T DK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2169H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2169H-EL-E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK1003DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1003DPN-E0#T2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK1003DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1003DPP-E0#T2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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  MOSFET N-CH 250V 50A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 85W（Tc） TO-3P
  
  型号：FKP250A
  仓库库存编号：FKP250A-ND
  别名：FKP250A DK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK2508DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK2508DPK-00#T0-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2099H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2099H-EL-E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L)
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（L）
  
  型号：2SK3132(Q)
  仓库库存编号：2SK3132(Q)-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP213-TL-H
  仓库库存编号：869-1085-1-ND
  别名：869-1085-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 50A（Ta） 50W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP107-TL-H
  仓库库存编号：ATP107-TL-H-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 50A（Ta）,
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