规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI520NPBF
仓库库存编号:
IRLI520NPBF-ND
别名:*IRLI520NPBF
SP001576820
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF634PBF
仓库库存编号:
IRF634PBF-ND
别名:*IRF634PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R520C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R520C6ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8.1A(Tc) 29W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R520E6
仓库库存编号:
IPA60R520E6-ND
别名:IPA60R520E6XKSA1
SP000797614
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF634B_FP001
仓库库存编号:
IRF634B_FP001-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634STRRPBF
仓库库存编号:
IRF634STRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520C6
仓库库存编号:
IPP60R520C6-ND
别名:IPP60R520C6XKSA1
SP000645068
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R520E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R520E6XKSA1-ND
别名:IPP60R520E6
IPP60R520E6-ND
SP000797294
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 29W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R520C6
仓库库存编号:
IPA60R520C6-ND
别名:IPA60R520C6XKSA1
SP000645072
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF634
仓库库存编号:
IRF634IR-ND
别名:*IRF634
IRF634-ND
IRF634IR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634S
仓库库存编号:
IRF634S-ND
别名:*IRF634S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) I2PAK
型号:
IRF634L
仓库库存编号:
IRF634L-ND
别名:*IRF634L
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634STRL
仓库库存编号:
IRF634STRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634STRR
仓库库存编号:
IRF634STRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634SPBF
仓库库存编号:
IRF634SPBF-ND
别名:*IRF634SPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC634PBF
仓库库存编号:
IRC634PBF-ND
别名:*IRC634PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS634B_FP001
仓库库存编号:
IRFS634B_FP001-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI520N
仓库库存编号:
IRLI520N-ND
别名:*IRLI520N
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.1A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R520C6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R520C6BTMA1CT
IPD60R520C6CT
IPD60R520C6CT-ND
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