规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP9N60M2
仓库库存编号:
497-13843-5-ND
别名:497-13843-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730SPBF
仓库库存编号:
IRF730SPBF-ND
别名:*IRF730SPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N20LTM
仓库库存编号:
FQD7N20LTMCT-ND
别名:FQD7N20LTMCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N80CT
仓库库存编号:
FQPF6N80CT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD9N60M2
仓库库存编号:
497-13864-1-ND
别名:497-13864-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 48W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL10N60M2
仓库库存编号:
497-14965-1-ND
别名:497-14965-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK78150-55A/CUX
仓库库存编号:
1727-2221-2-ND
别名:1727-2221-2
568-12489-2
568-12489-2-ND
934068292115
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK78150-55A/CUX
仓库库存编号:
1727-2221-1-ND
别名:1727-2221-1
568-12489-1
568-12489-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98150-55A/CUF
仓库库存编号:
1727-2224-1-ND
别名:1727-2224-1
568-12492-1
568-12492-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
STD6N62K3
仓库库存编号:
497-8480-1-ND
别名:497-8480-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU9N60M2
仓库库存编号:
497-13886-5-ND
别名:497-13886-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 20W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI9N60M2
仓库库存编号:
STFI9N60M2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 25W(Tc) ITO-220
型号:
TSM80N1R2CI C0G
仓库库存编号:
TSM80N1R2CI C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 110W(Tc) TO-262S(I2PAK)
型号:
TSM80N1R2CL C0G
仓库库存编号:
TSM80N1R2CL C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 110W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM80N1R2CH C5G
仓库库存编号:
TSM80N1R2CH C5G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK78150-55A/CUF
仓库库存编号:
BUK78150-55A/CUF-ND
别名:934068292135
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98150-55/CUF
仓库库存编号:
1727-2223-1-ND
别名:1727-2223-1
568-12491-1
568-12491-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF05N50ZH
仓库库存编号:
NDF05N50ZH-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) D-Pak
型号:
FDD7N60NZTM
仓库库存编号:
FDD7N60NZTMCT-ND
别名:FDD7N60NZTMCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.5A(Tc) 158W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N80C
仓库库存编号:
FQP6N80C-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 125W(Tc) TO-251
型号:
DMG7N65SJ3
仓库库存编号:
DMG7N65SJ3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.5A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N60C
仓库库存编号:
FQP6N60C-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRF730ASTRLPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRLPBF
仓库库存编号:
IRF730STRLPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRRPBF
仓库库存编号:
IRF730STRRPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
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