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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N60CTM
  仓库库存编号：FQB6N60CTM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N50TM
  仓库库存编号：FQB6N50TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 98W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N50
  仓库库存编号：FQP6N50-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI6N50TU
  仓库库存编号：FQI6N50TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N50FTF
  仓库库存编号：FDD6N50FTFCT-ND
  别名：FDD6N50FTFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 98W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N50C
  仓库库存编号：FQP6N50C-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N60C_F080
  仓库库存编号：FQP6N60C_F080-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF730ALPBF
  仓库库存编号：IRF730ALPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF730ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRF730ASTRRPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.5A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3427EEV-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ3427EEV-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ3427EEV-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5.5A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK78150-55A,115
  仓库库存编号：568-9711-1-ND
  别名：568-9711-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6760
  仓库库存编号：JAN2N6760-ND
  别名：JAN2N6760-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6798
  仓库库存编号：JAN2N6798-ND
  别名：JAN2N6798-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6798U
  仓库库存编号：JAN2N6798U-ND
  别名：JAN2N6798U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JANTX2N6760
  仓库库存编号：JANTX2N6760-ND
  别名：JANTX2N6760-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTX2N6798
  仓库库存编号：JANTX2N6798-ND
  别名：JANTX2N6798-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTX2N6798U
  仓库库存编号：JANTX2N6798U-ND
  别名：JANTX2N6798U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JANTXV2N6760
  仓库库存编号：JANTXV2N6760-ND
  别名：JANTXV2N6760-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JANTXV2N6798
  仓库库存编号：JANTXV2N6798-ND
  别名：JANTXV2N6798-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JANTXV2N6798U
  仓库库存编号：JANTXV2N6798U-ND
  别名：JANTXV2N6798U-MIL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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  含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
  
  型号：2N6760
  仓库库存编号：2N6760-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6798
  仓库库存编号：2N6798-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
• 含铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6798U
  仓库库存编号：2N6798U-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M006A065CH
  仓库库存编号：GP1M006A065CH-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A065F
  仓库库存编号：GP1M006A065F-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A（Tc）,
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