规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M006A065PH
仓库库存编号:
GP1M006A065PH-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M006A065FH
仓库库存编号:
1560-1161-5-ND
别名:1560-1161-1
1560-1161-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98150-55,135
仓库库存编号:
568-12235-1-ND
别名:568-11891-1
568-11891-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73A
仓库库存编号:
BUZ73AIN-ND
别名:BUZ73A-ND
BUZ73AIN
BUZ73AX
BUZ73AXK
SP000011373
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73AE3046XK
仓库库存编号:
BUZ73AE3046XK-ND
别名:BUZ73A E3046
BUZ73A E3046-ND
BUZ73AE3046X
SP000011962
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73AL
仓库库存编号:
BUZ73ALIN-ND
别名:BUZ73AL-ND
BUZ73ALIN
BUZ73ALX
BUZ73ALXK
SP000011375
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73A H
仓库库存编号:
BUZ73A H-ND
别名:BUZ73AH
BUZ73AHXKSA1
SP000683004
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73A H3046
仓库库存编号:
BUZ73A H3046-ND
别名:BUZ73AH3046
BUZ73AH3046XKSA1
SP000683006
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73ALHXKSA1
仓库库存编号:
BUZ73ALHXKSA1-ND
别名:BUZ73AL H
BUZ73AL H-ND
BUZ73ALH
SP000683012
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Tc),
无铅
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