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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2301CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2301CDS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301CDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2301CDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2301CDS-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR320TRPBF
  仓库库存编号：IRFR320PBFCT-ND
  别名：*IRFR320TRPBF
  IRFR320PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2392ADS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2392ADS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2392ADS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9110TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9110PBFCT-ND
  别名：*IRFR9110TRPBF
  IRFR9110PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG30PBF
  仓库库存编号：IRFBG30PBF-ND
  别名：*IRFBG30PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9110PBF
  仓库库存编号：IRFU9110PBF-ND
  别名：*IRFU9110PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R1K4CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R1K4CEBKMA1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-251
  
  型号：IPS65R1K5CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS65R1K5CEAKMA1-ND
  别名：SP001276050
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU320PBF
  仓库库存编号：IRFU320PBF-ND
  别名：*IRFU320PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4P25TM_WS
  仓库库存编号：FQD4P25TM_WSCT-ND
  别名：FQD4P25TM_WSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R1K4CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R1K4CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R1K4CEBTMA1CT
  IPD50R1K4CECT
  IPD50R1K4CECT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI830GPBF
  仓库库存编号：IRFI830GPBF-ND
  别名：*IRFI830GPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG30PBF
  仓库库存编号：IRFPG30PBF-ND
  别名：*IRFPG30PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM2309CX RFG
  仓库库存编号：TSM2309CX RFGTR-ND
  别名：TSM2309CX RFGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM2309CX RFG
  仓库库存编号：TSM2309CX RFGCT-ND
  别名：TSM2309CX RFGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM2309CX RFG
  仓库库存编号：TSM2309CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2309CX RFGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9110TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9110TRLPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9110TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR9110TRRPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR320TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR320TRRPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI830G
  仓库库存编号：IRFI830G-ND
  别名：*IRFI830G
  Q932707
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R1K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R1K4CEAUMA1-ND
  别名：SP001396808
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.1A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R1K4CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R1K4CEAKMA1-ND
  别名：SP001396810
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R1K5CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEAKMA1-ND
  别名：SP001369534
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 49W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K5CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEAKMA2-ND
  别名：SP001396898
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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