规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R1K5CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K5CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R1K5CEATMA1CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG30
仓库库存编号：
IRFPG30-ND
别名：*IRFPG30
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBG30
仓库库存编号：
IRFBG30-ND
别名：*IRFBG30
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320
仓库库存编号：
IRFR320-ND
别名：*IRFR320
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320TR
仓库库存编号：
IRFR320TR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9110
仓库库存编号：
IRFR9110-ND
别名：*IRFR9110
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9110TR
仓库库存编号：
IRFR9110TR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9110TRL
仓库库存编号：
IRFR9110TRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU320
仓库库存编号：
IRFU320-ND
别名：*IRFU320
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 100V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9110
仓库库存编号：
IRFU9110-ND
别名：*IRFU9110
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320TRL
仓库库存编号：
IRFR320TRL-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR320TRR
仓库库存编号：
IRFR320TRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9110TRR
仓库库存编号：
IRFR9110TRR-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD4P25TF
仓库库存编号：
FQD4P25TF-ND
别名：Q1585607A
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 250V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
型号：
FQU4P25TU
仓库库存编号：
FQU4P25TU-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 200V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） TO-251-3
型号：
SFU9220TU_AM002
仓库库存编号：
SFU9220TU_AM002-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 200V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） TO-251-3
型号：
SFU9220TU_F080
仓库库存编号：
SFU9220TU_F080-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 27W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF03N60ZG
仓库库存编号：
NDF03N60ZGOS-ND
别名：NDF03N60ZG-ND
NDF03N60ZGOS
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 27W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF03N60ZH
仓库库存编号：
NDF03N60ZH-ND
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23
型号：
SI2392DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2392DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2392DS-T1-GE3CT
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-251
型号：
IPU60R1K5CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU60R1K5CEBKMA1-ND
别名：SP001276062
规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）,
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