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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
  
  型号：AO3400A
  仓库库存编号：785-1000-1-ND
  别名：785-1000-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4431BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4431BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4431BDY-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7456DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7456DP-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7456DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7456DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 510mW（Ta）, 6.94W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV20XNER
  仓库库存编号：1727-2302-1-ND
  别名：1727-2302-1
  568-12588-1
  568-12588-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA420NZ
  仓库库存编号：FDMA420NZCT-ND
  别名：FDMA420NZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  PMN40ENE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 530mW（Ta）, 4.46W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN40ENEX
  仓库库存编号：1727-2734-1-ND
  别名：1727-2734-1
  568-13298-1
  568-13298-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7601TRPBF
  仓库库存编号：IRF7601TRPBFCT-ND
  别名：IRF7601TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 3.2W（Ta），40W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS5116PLTAG
  仓库库存编号：NTTFS5116PLTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS5116PLTAGOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 1.6W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3481CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3481CX6 RFGTR-ND
  别名：TSM3481CX6 RFGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 1.6W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3481CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3481CX6 RFGCT-ND
  别名：TSM3481CX6 RFGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 1.6W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3481CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3481CX6 RFGDKR-ND
  别名：TSM3481CX6 RFGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 540mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN27UP,115
  仓库库存编号：1727-1355-1-ND
  别名：1727-1355-1
  568-10797-1
  568-10797-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V SC-74
  详细描述：P 沟道 5.7A（Ta） 540mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN27UPH
  仓库库存编号：PMN27UPH-ND
  别名：934064768125
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4431BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4431BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 5.7A SC-74
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.7A（Ta） 545mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN22XN,115
  仓库库存编号：568-10796-1-ND
  别名：568-10796-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 5.7A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7601TR
  仓库库存编号：IRF7601CT-ND
  别名：*IRF7601TR
  IRF7601
  IRF7601CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO300N03S
  仓库库存编号：BSO300N03SINCT-ND
  别名：BSO300N03SINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）,
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