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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190C6
  仓库库存编号：IPA60R190C6-ND
  别名：IPA60R190C6XKSA1
  SP000621152
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190P6
  仓库库存编号：IPP60R190P6-ND
  别名：IPP60R190P6XKSA1
  SP001017066
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190C6
  仓库库存编号：IPW60R190C6-ND
  别名：IPW60R190C6FKSA1
  SP000621160
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190E6
  仓库库存编号：IPW60R190E6-ND
  别名：IPW60R190E6FKSA1
  SP000797384
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60
  仓库库存编号：FCP190N60-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 20.2A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SIS888DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS888DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS888DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190E6XKSA1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF190N60
  仓库库存编号：FCPF190N60-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） Power88
  
  型号：FCMT199N60
  仓库库存编号：FCMT199N60CT-ND
  别名：FCMT199N60CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60_GF102
  仓库库存编号：FCP190N60_GF102-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R190C6
  仓库库存编号：IPB60R190C6INCT-ND
  别名：IPB60R190C6INCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190P6
  仓库库存编号：IPA60R190P6-ND
  别名：IPA60R190P6XKSA1
  SP001017080
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190C6
  仓库库存编号：IPP60R190C6-ND
  别名：IPP60R190C6XKSA1
  SP000621158
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R190P6
  仓库库存编号：IPW60R190P6-ND
  别名：IPW60R190P6FKSA1
  SP001017090
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R190E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R190E6
  IPA60R190E6-ND
  SP000797380
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190C6XKSA1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R190P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R190P6ATMA1CT-ND
  别名：IPB60R190P6ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R190E6
  仓库库存编号：IPP60R190E6-ND
  别名：IPP60R190E6XKSA1
  SP000797378
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 20.2A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR616DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR616DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR616DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF190N60_F152
  仓库库存编号：FCPF190N60_F152-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R190E6AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R190E6AUMA1-ND
  别名：SP001074938
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R190C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R190C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R190C6CT
  IPB65R190C6CT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R190C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R190C6
  IPI60R190C6-ND
  SP000660618
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R190C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R190C6XKSA1-ND
  别名：IPA65R190C6
  IPA65R190C6-ND
  SP000863892
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R190E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R190E6XKSA1-ND
  别名：IPA65R190E6
  IPA65R190E6-ND
  SP000863904
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.2A（Tc）,
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