规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(12)
分立半导体产品
(12)
筛选品牌
Diodes Incorporated (3)
Infineon Technologies (1)
Vishay Siliconix (8)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.7A 900mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
型号:
DMP2100UFU-7
仓库库存编号:
DMP2100UFU-7DICT-ND
别名:DMP2100UFU-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN3F31DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN3F31DN8CT-ND
别名:ZXMN3F31DN8CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4808DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4808DY-T1-E3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4808DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4808DY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4804BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4804BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4804BDY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4830ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4830ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4830ADY-T1-E3CT
SI4830ADYT1E3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4834BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4834BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4834BDY-T1-E3CT
SI4834BDYT1E3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4804BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4804BDY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4830ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4830ADY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4834BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4834BDY-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.81W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMP3F37DN8TA
仓库库存编号:
ZXMP3F37DN8TADI-ND
别名:ZXMP3F37DN8TADI
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.7A 2W Surface Mount P-DSO-8
型号:
BSO207PNTMA1
仓库库存编号:
BSO207PNTMA1TR-ND
别名:BSO207P
BSO207PINTR
BSO207PINTR-ND
BSO207PNT
BSO207PT
BSO207PT-ND
SP000012573
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.7A,
含铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号