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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 6.1A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9640GPBF
  仓库库存编号：IRFI9640GPBF-ND
  别名：*IRFI9640GPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG50PBF
  仓库库存编号：IRFPG50PBF-ND
  别名：*IRFPG50PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CE
  仓库库存编号：IPD50R650CECT-ND
  别名：IPD50R650CECT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 69W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R650CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R650CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R650CEATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8 20/12V NCH POWERTRENCH MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Tc） 1.5W（Tc） SOT-23-3
  
  型号：FDN028N20
  仓库库存编号：FDN028N20-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF737LC
  仓库库存编号：IRF737LC-ND
  别名：*IRF737LC
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG50
  仓库库存编号：IRFPG50-ND
  别名：*IRFPG50
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 6.1A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9640G
  仓库库存编号：IRFI9640G-ND
  别名：*IRFI9640G
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 6.1A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF737LCL
  仓库库存编号：IRF737LCL-ND
  别名：*IRF737LCL
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 6.1A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF737LCS
  仓库库存编号：IRF737LCS-ND
  别名：*IRF737LCS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 6.1A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF737LCSTRL
  仓库库存编号：IRF737LCSTRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 6.1A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF737LCSTRR
  仓库库存编号：IRF737LCSTRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 6.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF737LCPBF
  仓库库存编号：IRF737LCPBF-ND
  别名：*IRF737LCPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.1A（Tc） 1.5W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1488DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1488DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1488DH-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.1A（Tc） 1.5W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1488DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1488DH-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R600CPXKSA1-ND
  别名：IPA60R600CP
  IPA60R600CP-ND
  SP000405884
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R600CPAKSA1
  仓库库存编号：IPI60R600CPAKSA1-ND
  别名：IPI60R600CP
  IPI60R600CP-ND
  SP000405896
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R600CP
  IPP60R600CP-ND
  SP000405888
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600CPATMA1
  仓库库存编号：IPB60R600CPATMA1CT-ND
  别名：IPB60R600CPCT
  IPB60R600CPCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R600CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R600CPCT
  IPD60R600CPCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 6.1A（Tc） 27.2W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA50R650CE
  仓库库存编号：IPA50R650CE-ND
  别名：IPA50R650CEXKSA1
  SP000992086
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600CPATMA1-ND
  别名：SP000680642
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.1A（Tc）,
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