规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J328R,LF
仓库库存编号:
SSM3J328RLFCT-ND
别名:SSM3J328RLF(ACT
SSM3J328RLF(ACT-ND
SSM3J328RLF(TCT
SSM3J328RLF(TCT-ND
SSM3J328RLFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFTR-ND
别名:SSM3J338R,LF(B
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFCT-ND
别名:SSM3J338RLFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFDKR-ND
别名:SSM3J338RLFDKR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3420
仓库库存编号:
785-1014-1-ND
别名:785-1014-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 2.12W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN6068LK3-13
仓库库存编号:
DMN6068LK3-13DICT-ND
别名:DMN6068LK3-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT434P
仓库库存编号:
FDT434PCT-ND
别名:FDT434PCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5116PLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5116PLTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5116PLTAGOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-E3CT-ND
别名:SI4850EY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 模具剖面(5 焊条)
型号:
EPC2007C
仓库库存编号:
917-1081-1-ND
别名:917-1081-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J332R,LF
仓库库存编号:
SSM3J332RLFCT-ND
别名:SSM3J332RLF(TCT
SSM3J332RLF(TCT-ND
SSM3J332RLFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.75W(Ta) TSOT-26
型号:
DMG6402LVT-7
仓库库存编号:
DMG6402LVT-7DICT-ND
别名:DMG6402LVT-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3K333R,LF
仓库库存编号:
SSM3K333RLFCT-ND
别名:SSM3K333RLF(TCT
SSM3K333RLF(TCT-ND
SSM3K333RLFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3K335R,LF
仓库库存编号:
SSM3K335RLFCT-ND
别名:SSM3K335RLF(TCT
SSM3K335RLF(TCT-ND
SSM3K335RLFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 510mW(Ta), 6.94W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV20ENR
仓库库存编号:
1727-2301-1-ND
别名:1727-2301-1
568-12587-1
568-12587-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.4W(Ta) SC-59-3
型号:
DMN3033LSN-7
仓库库存编号:
DMN3033LSNDICT-ND
别名:DMN3033LSNDICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.2W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3K341R,LF
仓库库存编号:
SSM3K341RLFCT-ND
别名:SSM3K341RLFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1.2W(Ta) SOT-89
型号:
CXDM4060P TR
仓库库存编号:
CXDM4060P CT-ND
别名:CXDM4060P CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4850EY-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N80C3ATMA1
仓库库存编号:
SPD06N80C3ATMA1CT-ND
别名:SPD06N80C3ATMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A60DSTA4QM-ND
别名:TK6A60DSTA4QM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.2W(Ta) SOT-89
型号:
CXDM4060N TR
仓库库存编号:
CXDM4060N CT-ND
别名:CXDM4060N CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A65D(STA4QM)-ND
别名:TK6A65D(STA4QM)
TK6A65DSTA4QM
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J502NU,LF(T
仓库库存编号:
SSM6J502NULF(TCT-ND
别名:SSM6J502NULF(TCT
SSM6J502NULFCT
SSM6J502NULFCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL-SIGNAL PCH MOSFET UMOSVI
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 1.5W(Ta)
型号:
SSM6J801R,LF
仓库库存编号:
SSM6J801RLFCT-ND
别名:SSM6J801RLFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
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