规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(123)
分立半导体产品
(123)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (11)
Central Semiconductor Corp (2)
Diodes Incorporated (10)
EPC (2)
Infineon Technologies (9)
Micro Commercial Co (1)
Nexperia USA Inc. (1)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (9)
ON Semiconductor (21)
Renesas Electronics America (8)
Rohm Semiconductor (6)
Sanken (2)
STMicroelectronics (1)
Taiwan Semiconductor Corporation (3)
Toshiba Semiconductor and Storage (29)
Vishay Siliconix (6)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3J358R,LF
仓库库存编号:
SSM3J358RLFCT-ND
别名:SSM3J358RLFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 700mW(Ta) TSMT8
型号:
RQ1A060ZPTR
仓库库存编号:
RQ1A060ZPTRCT-ND
别名:RQ1A060ZPTRCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6347-TL-W
仓库库存编号:
CPH6347-TL-WOSCT-ND
别名:CPH6347-TL-WOSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 600mW(Ta) 8-TSST
型号:
RT1A060APTR
仓库库存编号:
RT1A060APCT-ND
别名:RT1A060APTRCT
RT1A060APTRCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 650mW(Ta) 8-TSST
型号:
RT1C060UNTR
仓库库存编号:
RT1C060UNCT-ND
别名:RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.71W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN4040SK3-13
仓库库存编号:
DMN4040SK3-13DICT-ND
别名:DMN4040SK3-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMP2035UVT-7
仓库库存编号:
DMP2035UVT-7DICT-ND
别名:DMP2035UVT-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.4W(Ta) SC-59
型号:
DMN3033LSNQ-7
仓库库存编号:
DMN3033LSNQ-7DICT-ND
别名:DMN3033LSNQ-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J503NU,LF(T
仓库库存编号:
SSM6J503NULF(TCT-ND
别名:SSM6J503NULF(TCT
SSM6J503NULFCT
SSM6J503NULFCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 6A DFN202
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) DFN2020-6J
型号:
MCM1206-TP
仓库库存编号:
MCM1206-TPMSCT-ND
别名:MCM1206-TPMSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 6A UF6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) UF6
型号:
SSM6J414TU,LF
仓库库存编号:
SSM6J414TULFCT-ND
别名:SSM6J414TU,LFCT
SSM6J414TULF(TCT
SSM6J414TULF(TCT-ND
SSM6J414TULFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型
型号:
FDME430NT
仓库库存编号:
FDME430NTCT-ND
别名:FDME430NTCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型
型号:
FDME510PZT
仓库库存编号:
FDME510PZTCT-ND
别名:FDME510PZTCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.6W(Ta) EFCP1313-4CC-037
型号:
EFC4612R-TR
仓库库存编号:
EFC4612R-TROSCT-ND
别名:EFC4612R-TROSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Tc) TSMT3
型号:
RQ5C060BCTCL
仓库库存编号:
RQ5C060BCTCLCT-ND
别名:RQ5C060BCTCLCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC606P
仓库库存编号:
FDC606PCT-ND
别名:FDC606PCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7120ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7120ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7120ADN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL207SPH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL207SPH6327XTSA1CT-ND
别名:BSL207SPH6327XTSA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A80E,S4X
仓库库存编号:
TK6A80ES4X-ND
别名:TK6A80E,S4X(S
TK6A80ES4X
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Sanken
MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 3.1W(Ta),46W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
GKI07301
仓库库存编号:
GKI07301CT-ND
别名:GKI07301CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 6A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1.52W(Ta) 8-SO
型号:
DMP4025LSS-13
仓库库存编号:
DMP4025LSS-13DICT-ND
别名:DMP4025LSS-13DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-8 (2.9x1.5)
型号:
TPCF8107,LF
仓库库存编号:
TPCF8107LFCT-ND
别名:TPCF8107,LFCMCT
TPCF8107,LFCMCT-ND
TPCF8107LFCMCT
TPCF8107LFCMCT-ND
TPCF8107LFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 2.7W(Ta) 8-SO
型号:
STS6P3LLH6
仓库库存编号:
497-15323-1-ND
别名:497-15323-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 60V 6A DFN 2x2B
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2260
仓库库存编号:
785-1391-1-ND
别名:785-1391-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS060P05FU6TB
仓库库存编号:
RSS060P05FU6TBCT-ND
别名:RSS060P05FU6TBCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号