规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 88A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI110N20N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI110N20N3GAKSA1-ND
别名:IPI110N20N3 G
IPI110N20N3 G-ND
IPI110N20N3G
SP000714304
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA88N085T
仓库库存编号:
IXTA88N085T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA88N085T7
仓库库存编号:
IXTA88N085T7-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 88A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 150V 88A(Tc) 400W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH88N15
仓库库存编号:
IXTH88N15-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 88A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 88A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP88N085T
仓库库存编号:
IXTP88N085T-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
NP88N04NUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP88N04NUG-S18-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP88N055KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N055KUG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 88A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP88N075KUE-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N075KUE-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 88A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 88A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-220-3
型号:
NP88N075MUE-S18-AY
仓库库存编号:
NP88N075MUE-S18-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP88N03KDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N03KDG-E1-AYCT-ND
别名:NP88N03KDG-E1-AYCT
NP88N03KDGE1AY
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 88A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120V 88A(Tc) 140W(Tc) TO-220
型号:
TK42E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK42E12N1S1X-ND
别名:TK42E12N1S1X
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP88N04KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N04KUG-E1-AY-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 88A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 88A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4410PBF
仓库库存编号:
IRFSL4410PBF-ND
别名:SP001550234
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 88A(Tc),
无铅
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