规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Ta) 1.5W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6341-TL-E
仓库库存编号:
MCH6341-TL-E-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5A(Ta) 1.5W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6431-TL-H
仓库库存编号:
MCH6431-TL-H-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5A(Ta) 1.5W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6341-TL-H
仓库库存编号:
MCH6341-TL-H-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1340-E
仓库库存编号:
2SK1340-E-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 5A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Ta) 41.7W(Tc) MP-3A
型号:
RJK5030DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK5030DPD-00#J2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5A(Ta) 77.6W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6006DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6006DPD-00#J2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5A(Ta) 29W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6006DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6006DPP-E0#T2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5A(Ta) 62.5W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK6026DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK6026DPE-00#J3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Ta) 540mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN34UP,115
仓库库存编号:
1727-1357-1-ND
别名:1727-1357-1
568-10799-1
568-10799-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
BUK9840-55,115
仓库库存编号:
568-11115-1-ND
别名:568-11115-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
BUK9840-55,115
仓库库存编号:
568-11115-6-ND
别名:568-11115-6
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS3A18PZTWG
仓库库存编号:
NTLJS3A18PZTWG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS3A18PZTXG
仓库库存编号:
NTLJS3A18PZTXG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4801L
仓库库存编号:
AO4801L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5A(Ta) 1.25W(Ta) 6-TSOP
型号:
AO6402L
仓库库存编号:
AO6402L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5A(Ta) 20W(Tc) PW-MOLD
型号:
2SJ668(TE16L1,NQ)
仓库库存编号:
2SJ668(TE16L1NQ)-ND
别名:2SJ668(TE16L1NQ)
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Ta) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NCPBF
仓库库存编号:
IRFR220NCPBF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
AUIRLL024Z
仓库库存编号:
AUIRLL024Z-ND
别名:SP001520442
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta),
无铅
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