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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Tc） 1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2371EDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2371EDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2371EDS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220TRPBF
  仓库库存编号：IRFR220PBFCT-ND
  别名：*IRFR220TRPBF
  IRFR220PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF04N60ZH
  仓库库存编号：NDF04N60ZHOS-ND
  别名：NDF04N60ZH-ND
  NDF04N60ZHOS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU220PBF
  仓库库存编号：IRFU220PBF-ND
  别名：*IRFU220PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR220TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR220TRLPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL9N60M2
  仓库库存编号：497-14970-1-ND
  别名：497-14970-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF04N60ZG
  仓库库存编号：NDF04N60ZGOS-ND
  别名：NDF04N60ZG-ND
  NDF04N60ZGOS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP5N50P
  仓库库存编号：IXTP5N50P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTU5N50P
  仓库库存编号：IXTU5N50P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 4.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA5N50P
  仓库库存编号：IXTA5N50P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.8A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N20
  仓库库存编号：FQPF7N20-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 4.8A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 4.8A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5P20
  仓库库存编号：FQP5P20-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 4.8A（Tc） 3.13W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5P20TM
  仓库库存编号：FQB5P20TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.8A（Tc） 140W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5N80
  仓库库存编号：FQP5N80-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.8A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N80TU
  仓库库存编号：FQI5N80TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.8A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N80TM
  仓库库存编号：FQB5N80TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.8A（Tc） 89W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY5N50P
  仓库库存编号：IXTY5N50P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.8A（Tc） 42W（Tc） DPAK
  
  型号：IRFR220,118
  仓库库存编号：IRFR220,118-ND
  别名：934056819118
  IRFR220 /T3
  IRFR220 /T3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.8A（Tc） 2.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN50XP,165
  仓库库存编号：PMN50XP,165-ND
  别名：934058528165
  PMN50XP /T2
  PMN50XP /T2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.8A（Tc）,
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