规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60C3
仓库库存编号:
SPW20N60C3IN-ND
别名:SP000013729
SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681058
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 34.5W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216354
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP20N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681064
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 20.7A
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.7A(Tc) 7.1W(Tc) 8-SO
型号:
SQ4840EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4840EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4840EY-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB20N60C3
仓库库存编号:
SPB20N60C3INCT-ND
别名:SPB20N60C3INCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681006
SPI20N60C3
SPI20N60C3-ND
SPI20N60C3IN
SPI20N60C3IN-ND
SPI20N60C3X
SPI20N60C3XK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681060
SPP20N60CFD
SPP20N60CFD-ND
SPP20N60CFDIN
SPP20N60CFDIN-ND
SPP20N60CFDX
SPP20N60CFDXK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000216361
SPA20N60CFD
SPA20N60CFD-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 34.5W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA20N65C3
仓库库存编号:
SPA20N65C3IN-ND
别名:SP000216362
SPA20N65C3IN
SPA20N65C3XK
SPA20N65C3XKSA1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW20N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014535
SPW20N60CFD
SPW20N60CFD-ND
SPW20N60CFDIN
SPW20N60CFDIN-ND
SPW20N60CFDX
SPW20N60CFDXK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) TO-247-3
型号:
APT20N60BC3G
仓库库存编号:
APT20N60BC3G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) D3Pak
型号:
APT20N60SC3G
仓库库存编号:
APT20N60SC3G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60C3IN-ND
别名:SPP20N60C3
SPP20N60C3BKSA1
SPP20N60C3IN
SPP20N60C3X
SPP20N60C3XIN
SPP20N60C3XIN-ND
SPP20N60C3XK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 34.5W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA20N60C3IN-ND
别名:SP000013659
SPA20N60C3
SPA20N60C3IN
SPA20N60C3X
SPA20N60C3XTIN
SPA20N60C3XTIN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI20N65C3XKSA1-ND
别名:SP000014525
SP000681010
SPI20N65C3
SPI20N65C3-ND
SPI20N65C3IN
SPI20N65C3IN-ND
SPI20N65C3X
SPI20N65C3XK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP20N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014369
SPP20N65C3
SPP20N65C3-ND
SPP20N65C3IN
SPP20N65C3IN-ND
SPP20N65C3X
SPP20N65C3XK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000229995
SP000681008
SPI20N60CFD
SPI20N60CFD-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013527
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP20N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000014475
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60C3HKSA1-ND
别名:SP000014453
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20.7A(Tc),
无铅
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