规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Ta) 510mW(Ta), 5W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV45EN2R
仓库库存编号:
1727-2307-1-ND
别名:1727-2307-1
568-12593-1
568-12593-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
DMN6068SE-13
仓库库存编号:
DMN6068SE-13CT-ND
别名:DMN6068SE-13CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2333DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2333DS-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO
型号:
SI9435BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9435BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9435BDY-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2582
仓库库存编号:
FDS2582CT-ND
别名:FDS2582CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Ta) 960mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN2F30FHTA
仓库库存编号:
ZXMN2F30FHCT-ND
别名:ZXMN2F30FHCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6246TRPBF
仓库库存编号:
IRLML6246TRPBFCT-ND
别名:IRLML6246TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.1A(Ta) 530mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN48XP,115
仓库库存编号:
1727-6483-1-ND
别名:1727-6483-1
568-8412-1
568-8412-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI3407-TP
仓库库存编号:
SI3407-TPMSCT-ND
别名:SI3407-TPMSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.1A 4UWLB
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 1W(Ta) U-WLB1010-4
型号:
DMP2047UCB4-7
仓库库存编号:
DMP2047UCB4-7DICT-ND
别名:DMP2047UCB4-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 1.3W(Ta)
型号:
SI9435BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9435BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI9435BDY-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Ta) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
FDS86242
仓库库存编号:
FDS86242CT-ND
别名:FDS86242CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2305-TP
仓库库存编号:
SI2305-TPMSCT-ND
别名:SI2305-TPMSCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V SC-74
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 530mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN48XPAX
仓库库存编号:
PMN48XPAX-ND
别名:934068546115
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Ta) 2.1W(Ta) SOT-89-3
型号:
DMN6070SY-13
仓库库存编号:
DMN6070SY-13-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2333DS-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.1A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2070N3
仓库库存编号:
FDS2070N3CT-ND
别名:FDS2070N3_NLCT
FDS2070N3_NLCT-ND
FDS2070N3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.1A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2070N7
仓库库存编号:
FDS2070N7CT-ND
别名:FDS2070N7_NLCT
FDS2070N7_NLCT-ND
FDS2070N7CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.1A(Ta) 1.6W(Ta) SC75-6 FLMP
型号:
FDJ127P
仓库库存编号:
FDJ127P-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
SI3442DV
仓库库存编号:
SI3442DV-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
NDC631N
仓库库存编号:
NDC631N-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4.1A(Ta) 2W(Ta),37W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4001
仓库库存编号:
BFL4001-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
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EPC
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 65V 4.1A(Ta) 模具
型号:
EPC8009ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8009ENGR-ND
别名:917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.1A(Ta),
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