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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 187W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP8030L
  仓库库存编号：FDP8030LFS-ND
  别名：FDP8030L-ND
  FDP8030LFS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
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  无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Ta） LPTS
  
  型号：RSJ800N06TL
  仓库库存编号：RSJ800N06TLCT-ND
  别名：RSJ800N06TLCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Ta） 187W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8030L
  仓库库存编号：FDB8030LCT-ND
  别名：FDB8030LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK72A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK72A08N1S4X-ND
  别名：TK72A08N1,S4X(S
  TK72A08N1,S4X-ND
  TK72A08N1S4X
  TK72A08N1S4X(S
  TK72A08N1S4X(S-ND
  TK72A08N1S4XS
  TK80A08K3(Q)
  TK80A08K3(Q,M)
  TK80A08K3(QM)
  TK80A08K3(QM)-ND
  TK80A08K3Q
  TK80A08K3Q-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK80S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK80S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK80S04K3L(T6L1NQ
  TK80S04K3LT6L1NQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK80S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK80S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK80S06K3L(T6L1NQ
  TK80S06K3LT6L1NQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ80S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ80S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ80S04M3L(T6L1NQ
  TJ80S04M3LT6L1NQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Ta） 84W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS5A302PLZT4G
  仓库库存编号：NVATS5A302PLZT4G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK0603DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK0603DPN-E0#T2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK1001DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1001DPP-E0#T2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Ta） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB7030L
  仓库库存编号：FDB7030LCT-ND
  别名：FDB7030LCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Ta） 68W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP7030L
  仓库库存编号：FDP7030L-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5645
  仓库库存编号：FDP5645-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Ta） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB5645
  仓库库存编号：FDB5645-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Ta） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB7030L_L86Z
  仓库库存编号：FDB7030L_L86Z-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Ta） 68W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP6670AL
  仓库库存编号：FDP6670AL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Ta） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB6670AL
  仓库库存编号：FDB6670AL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Ta）,
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