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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2301BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2301BDS-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7431DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7431DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7431DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7431DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7431DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7431DP-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 480mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR4171PT1G
  仓库库存编号：NTR4171PT1GOSCT-ND
  别名：NTR4171PT1GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3443T1G
  仓库库存编号：NTGS3443T1GOSCT-ND
  别名：NTGS3443T1GOS
  NTGS3443T1GOS-ND
  NTGS3443T1GOSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
  
  型号：SSM3K116TU,LF
  仓库库存编号：SSM3K116TULFCT-ND
  别名：SSM3K116TULFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 650mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMN3200U-7
  仓库库存编号：DMN3200U-7DICT-ND
  别名：DMN3200U-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF6216TRPBF
  仓库库存编号：IRF6216TRPBFCT-ND
  别名：IRF6216TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7818DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7818DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7818DN-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7818DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7818DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7818DN-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
  
  型号：MTM862270LBF
  仓库库存编号：MTM862270LBFCT-ND
  别名：MTM862270LBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 420mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG410NZ
  仓库库存编号：FDG410NZCT-ND
  别名：FDG410NZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD23202W10T
  仓库库存编号：296-38338-1-ND
  别名：296-38338-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.8A SC-70
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.2A（Ta） 395mW（Ta） SC-70
  
  型号：PMF63UNEX
  仓库库存编号：1727-2694-1-ND
  别名：1727-2694-1
  568-13213-1
  568-13213-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2301BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2301BDS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A (Ta) 1.15W Surface Mount SOT-26
  
  型号：TSM3911DCX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3911DCX6 RFGTR-ND
  别名：TSM3911DCX6 RFGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A (Ta) 1.15W Surface Mount SOT-26
  
  型号：TSM3911DCX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3911DCX6 RFGCT-ND
  别名：TSM3911DCX6 RFGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -20V, -
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A (Ta) 1.15W Surface Mount SOT-26
  
  型号：TSM3911DCX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3911DCX6 RFGDKR-ND
  别名：TSM3911DCX6 RFGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD18541F5
  仓库库存编号：296-44374-1-ND
  别名：296-44374-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 970mW（Ta） SOT-89
  
  型号：ZXMN3A01ZTA
  仓库库存编号：ZXMN3A01ZTADICT-ND
  别名：ZXMN3A01ZTADICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA86108LZ
  仓库库存编号：FDMA86108LZCT-ND
  别名：FDMA86108LZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS86267P
  仓库库存编号：FDS86267PCT-ND
  别名：FDS86267PCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7324D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7324D1PBFCT-ND
  别名：*IRF7324D1TRPBF
  IRF7324D1PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 960mW（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC6392S
  仓库库存编号：FDC6392SCT-ND
  别名：FDC6392S_NLCT
  FDC6392S_NLCT-ND
  FDC6392SCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN337N
  仓库库存编号：FDN337NCT-ND
  别名：FDN337NCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）,
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