规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 2.2A MINI6-F1
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 540mW(Ta) WSSMini6-F1
型号:
FM6L52020L
仓库库存编号:
FM6L52020L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS3443T1
仓库库存编号:
NTGS3443T1OS-ND
别名:NTGS3443T1OS
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.2A(Ta) 1W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6459BDQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6459BDQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6459BDQ-T1-E3CT
SI6459BDQT1E3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 700mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS3441BT1G
仓库库存编号:
NTGS3441BT1G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.2A(Ta) 540mW(Ta) WSSMini6-F1
型号:
MTM867270LBF
仓库库存编号:
MTM867270LBFCT-ND
别名:MTM867270LBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 1W(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGD3147FT1G
仓库库存编号:
NTGD3147FT1G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR3162PT1G
仓库库存编号:
NTR3162PT1G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR3162PT3G
仓库库存编号:
NTR3162PT3G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.2A(Ta) 1W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6459BDQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6459BDQ-T1-GE3CT-ND
别名:SI6459BDQ-T1-GE3CT
SI6459BDQT1GE3
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJD3182FZTAG
仓库库存编号:
NTLJD3182FZTAG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJD3182FZTBG
仓库库存编号:
NTLJD3182FZTBG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.2A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8003-H(TE85L,F
仓库库存编号:
TPCP8003-H(TE85L,F-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3192PZTAG
仓库库存编号:
NTLUS3192PZTAG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 600mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3192PZTBG
仓库库存编号:
NTLUS3192PZTBG-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.2A(Ta) 310mW(Ta),2.17W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV65UN,215
仓库库存编号:
568-10837-1-ND
别名:568-10837-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7324D1
仓库库存编号:
IRF7324D1-ND
别名:*IRF7324D1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7324D1TR
仓库库存编号:
IRF7324D1TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7453
仓库库存编号:
IRF7453-ND
别名:*IRF7453
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7453TR
仓库库存编号:
IRF7453TR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7453TRPBF
仓库库存编号:
IRF7453PBFCT-ND
别名:*IRF7453TRPBF
IRF7453PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.2A(Ta),
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