以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN3023L-7
  仓库库存编号：DMN3023L-7DICT-ND
  别名：DMN3023L-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC637BNZ
  仓库库存编号：FDC637BNZCT-ND
  别名：FDC637BNZCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4421
  仓库库存编号：785-1025-1-ND
  别名：785-1025-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 3.1W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD3860
  仓库库存编号：FDD3860CT-ND
  别名：FDD3860CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7850DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7850DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7850DP-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP2066UFDE-7
  仓库库存编号：DMP2066UFDE-7DICT-ND
  别名：DMP2066UFDE-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7241TRPBF
  仓库库存编号：IRF7241PBFCT-ND
  别名：*IRF7241TRPBF
  IRF7241PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN2028UVT-7
  仓库库存编号：DMN2028UVT-7DICT-ND
  别名：DMN2028UVT-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC637AN
  仓库库存编号：FDC637ANCT-ND
  别名：FDC637ANCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7850DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7850DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7850DP-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V 6WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 556mW（Ta）, 12.5W（Tc） 6-WLCSP（1.48x.98）
  
  型号：PMCM6501VPEZ
  仓库库存编号：1727-2689-1-ND
  别名：1727-2689-1
  568-13208-1
  568-13208-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A (Ta) 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  
  型号：DMN3032LFDBQ-13
  仓库库存编号：DMN3032LFDBQ-13-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK6P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK6P60WRVQCT-ND
  别名：TK6P60WRVQCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK6Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK6Q60WS1VQ-ND
  别名：TK6Q60W,S1VQ(S
  TK6Q60WS1VQ
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK6A60WS4VX-ND
  别名：TK6A60W,S4VX(M
  TK6A60WS4VX
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXMN2A02X8TA
  仓库库存编号：ZXMN2A02X8CT-ND
  别名：ZXMN2A02X8CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6463BDQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6463BDQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6463BDQ-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6463BDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6463BDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6463BDQ-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.08W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6473DQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6473DQ-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.2A（Ta） 1.08W（Ta） 8-TSSOP
  
  型号：SI6473DQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6473DQ-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.2A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9410BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9410BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.2A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9410BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9410BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9410BDY-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.2A（Ta） 540mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN25EN,115
  仓库库存编号：568-10416-1-ND
  别名：568-10416-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4421L
  仓库库存编号：AO4421L-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 6.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7241
  仓库库存编号：IRF7241-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Ta）,
• 含铅
• 搜索