规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.38W(Ta) SOT-23
型号:
DMP3056L-7
仓库库存编号:
DMP3056L-7DICT-ND
别名:DMP3056L-7DICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC5612
仓库库存编号:
FDC5612CT-ND
别名:FDC5612CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401TRPBF
仓库库存编号:
IRLML6401PBFCT-ND
别名:*IRLML6401TRPBF
IRLML6401PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Texas Instruments
12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 4.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13385F5T
仓库库存编号:
296-45087-1-ND
别名:296-45087-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-26
型号:
DMP3056LDM-7
仓库库存编号:
DMP3056LDMDICT-ND
别名:DMP3056LDMDICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3407A
仓库库存编号:
785-1006-1-ND
别名:785-1006-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
型号:
ZXMN2B03E6TA
仓库库存编号:
ZXMN2B03E6CT-ND
别名:ZXMN2B03E6CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.6W(Ta) 6-SSOT
型号:
FDC365P
仓库库存编号:
FDC365PCT-ND
别名:FDC365PCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML2244TRPBF
仓库库存编号:
IRLML2244TRPBFCT-ND
别名:IRLML2244TRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7422D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7422D2PBFCT-ND
别名:*IRF7422D2TRPBF
IRF7422D2PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23
型号:
DMP2100U-7
仓库库存编号:
DMP2100U-7CT-ND
别名:DMP2100U-7CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML6401GTRPBFCT-ND
别名:IRLML6401GTRPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta) 1.6W(Ta) 6-SSOT
型号:
FDC5661N_F085
仓库库存编号:
FDC5661N_F085CT-ND
别名:FDC5661N_F085CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.3A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta) 1.5W(Ta),8.3W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB33XN,115
仓库库存编号:
1727-1373-1-ND
别名:1727-1373-1
568-10822-1
568-10822-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7703EDN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7703EDN-T1-E3TR-ND
别名:SI7703EDN-T1-E3TR
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMN6A25N8TA
仓库库存编号:
ZXMN6A25N8TADI-ND
别名:ZXMN6A25N8TADI
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DI9405T
仓库库存编号:
DI9405CT-ND
别名:DI9405
DI9405CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS9405
仓库库存编号:
NDS9405CT-ND
别名:NDS9405CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3433BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3433BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3433BDV-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5435BDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5435BDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5435BDC-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5435BDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5435BDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5435BDC-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.3A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN2104L-7
仓库库存编号:
DMN2104LDICT-ND
别名:DMN2104LDICT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7703EDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7703EDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7703EDN-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 1.1W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3433BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3433BDV-T1-GE3-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.3A(Ta) 2W(Ta),36W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4004
仓库库存编号:
BFL4004-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.3A(Ta),
无铅
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