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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） TO-236
  
  型号：SI2356DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2356DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2356DS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR110TRPBF
  仓库库存编号：IRFR110PBFCT-ND
  别名：*IRFR110TRPBF
  IRFR110PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 3W（Tc）
  
  型号：SQ2362ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2362ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2362ES-T1_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR110TRPBF
  仓库库存编号：IRLR110TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR110TRPBF
  IRLR110PBFCT
  IRLR110PBFCT-ND
  IRLR110TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU110PBF
  仓库库存编号：IRFU110PBF-ND
  别名：*IRFU110PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP5NK80Z
  仓库库存编号：497-7527-5-ND
  别名：497-7527-5
  STP5NK80Z-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG40PBF
  仓库库存编号：IRFPG40PBF-ND
  别名：*IRFPG40PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRLU110PBF
  仓库库存编号：IRLU110PBF-ND
  别名：*IRLU110PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N15TM
  仓库库存编号：FQD5N15TMCT-ND
  别名：FQD5N15TMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K0CEATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP5NK80ZFP
  仓库库存编号：497-12056-5-ND
  别名：497-12056-5
  STP5NK80ZFP-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001292872
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 4.3A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9630GPBF
  仓库库存编号：IRFI9630GPBF-ND
  别名：*IRFI9630GPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N60
  仓库库存编号：FQPF7N60-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.3A（Tc） 1.7W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3442EV-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ3442EV-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ3442EV-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR110
  仓库库存编号：IRLR110-ND
  别名：*IRLR110
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR110TR
  仓库库存编号：IRLR110TR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR110TRL
  仓库库存编号：IRLR110TRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRLU110
  仓库库存编号：IRLU110-ND
  别名：*IRLU110
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 4.3A
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 2W（Ta），36W（Tc） TO-220F-3FS
  
  型号：BFL4004-1E
  仓库库存编号：BFL4004-1E-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU50R950CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU50R950CEAKMA2-ND
  别名：SP001396806
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001369532
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 61W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K0CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEAKMA2-ND
  别名：SP001396378
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-251
  
  型号：IPS65R1K0CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS65R1K0CEAKMA1-ND
  别名：SP001276048
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR110
  仓库库存编号：IRFR110-ND
  别名：*IRFR110
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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