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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 4.3A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9630G
  仓库库存编号：IRFI9630G-ND
  别名：*IRFI9630G
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 4.3A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPG40
  仓库库存编号：IRFPG40-ND
  别名：*IRFPG40
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR110TR
  仓库库存编号：IRFR110TR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU110
  仓库库存编号：IRFU110-ND
  别名：*IRFU110
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR110TRL
  仓库库存编号：IRFR110TRL-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR110TRR
  仓库库存编号：IRFR110TRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR110TRR
  仓库库存编号：IRLR110TRR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N15TF
  仓库库存编号：FQD5N15TF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 25.7W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R950CE
  仓库库存编号：IPA50R950CEIN-ND
  别名：IPA50R950CEIN
  IPA50R950CEXKSA1
  SP000939328
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 34W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R950CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R950CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R950CEBTMA1CT
  IPD50R950CEIN
  IPD50R950CEIN-ND
  IPD50R950CEINCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 34W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEBKMA1-ND
  别名：IPU50R950CE
  IPU50R950CE-ND
  SP001022956
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-251
  
  型号：IPU60R1K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEBKMA1-ND
  别名：SP001276056
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R950CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R950CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R950CEATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.3A（Tc）,
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