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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Tc） 500mW（Tc） SOT-323
  
  型号：SI1317DL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1317DL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1317DL-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3437DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3437DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3437DV-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBG20PBF
  仓库库存编号：IRFBG20PBF-ND
  别名：*IRFBG20PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU1N60APBF
  仓库库存编号：IRFU1N60APBF-ND
  别名：*IRFU1N60APBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD2NK60Z-1
  仓库库存编号：497-12555-5-ND
  别名：497-12555-5
  STD2NK60Z-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF2NK60Z
  仓库库存编号：497-12576-5-ND
  别名：497-12576-5
  STF2NK60Z-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 20W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW1N105K3
  仓库库存编号：497-13646-5-ND
  别名：497-13646-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3437DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3437DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3437DV-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRPBF
  仓库库存编号：IRFR1N60APBFCT-ND
  别名：*IRFR1N60ATRPBF
  IRFR1N60APBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R4N60P
  仓库库存编号：IXTY1R4N60P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBE20GPBF
  仓库库存编号：IRFIBE20GPBF-ND
  别名：*IRFIBE20GPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP1N105K3
  仓库库存编号：497-13394-5-ND
  别名：497-13394-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 无铅
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• IXYS
  2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 960W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTX1R4N450HV
  仓库库存编号：IXTX1R4N450HV-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• IXYS
  2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF1R4N450
  仓库库存编号：IXTF1R4N450-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
• 不受无铅要求限制
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 1.4A SC-70-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 400mW（Ta），500mW（Tc） SOT-323
  
  型号：SI1308EDL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1308EDL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1308EDL-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHFR1N60A-GE3
  仓库库存编号：SIHFR1N60A-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRLPBF
  仓库库存编号：IRFR1N60ATRLPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R4N60P
  仓库库存编号：IXTP1R4N60P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU1R4N60P
  仓库库存编号：IXTU1R4N60P-ND
  
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R4N100P
  仓库库存编号：IXTY1R4N100P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R4N100P
  仓库库存编号：IXTP1R4N100P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 63W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1R4N100P
  仓库库存编号：IXTA1R4N100P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY1R4N120P
  仓库库存编号：IXTY1R4N120P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 86W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP1R4N120P
  仓库库存编号：IXTP1R4N120P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 86W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA1R4N120P
  仓库库存编号：IXTA1R4N120P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.4A（Tc）,
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