规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD09P06PL G
仓库库存编号:
SPD09P06PL GCT-ND
别名:SPD09P06PL GCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520NPBF
仓库库存编号:
IRF520NPBF-ND
别名:*IRF520NPBF
SP001571310
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.7A(Tc) 30W(Tc) DPAK
型号:
TK380P60Y,RQ
仓库库存编号:
TK380P60YRQCT-ND
别名:TK380P60YRQCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 9.7A(Tc) 80W(Tc) DPAK
型号:
TK380P65Y,RQ
仓库库存编号:
TK380P65YRQCT-ND
别名:TK380P65YRQCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF520NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF520NSTRLPBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI530GPBF
仓库库存编号:
IRLI530GPBF-ND
别名:*IRLI530GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 9.7A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z20PBF
仓库库存编号:
IRF9Z20PBF-ND
别名:*IRF9Z20PBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 30W TO-220SIS
型号:
TK380A60Y,S4X
仓库库存编号:
TK380A60YS4X-ND
别名:TK380A60Y,S4X(S
TK380A60YS4X
TK380A60YS4X(S
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI530GPBF
仓库库存编号:
IRFI530GPBF-ND
别名:*IRFI530GPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.7A(Tc) 2.8W(Tc) 4-MICRO FOOT?(1.6x1.6)
型号:
SI8481DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8481DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8481DB-T1-E1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 9.7A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z20
仓库库存编号:
IRF9Z20-ND
别名:*IRF9Z20
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI530G
仓库库存编号:
IRFI530G-ND
别名:*IRFI530G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI530G
仓库库存编号:
IRLI530G-ND
别名:*IRLI530G
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 49W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9Z24
仓库库存编号:
SFP9Z24-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520N
仓库库存编号:
IRF520N-ND
别名:*IRF520N
SP001571320
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NS
仓库库存编号:
IRF520NS-ND
别名:*IRF520NS
SP001559622
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NL
仓库库存编号:
IRF520NL-ND
别名:*IRF520NL
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRL
仓库库存编号:
IRF520NSTRL-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRR
仓库库存编号:
IRF520NSTRR-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU09P06PL
仓库库存编号:
SPU09P06PLIN-ND
别名:SP000012876
SPU09P06PLIN
SPU09P06PLX
SPU09P06PLXTIN
SPU09P06PLXTIN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD09P06PL
仓库库存编号:
SPD09P06PLINCT-ND
别名:SPD09P06PLINCT
SPD09P06PLXTINCT
SPD09P06PLXTINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NLPBF
仓库库存编号:
IRF520NLPBF-ND
别名:*IRF520NLPBF
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Tc),
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