以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD20N06TM
  仓库库存编号：FQD20N06TMCT-ND
  别名：FQD20N06TMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.8A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R230P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R230P6XKSA1-ND
  别名：SP001017064
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 33W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R230P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R230P6XKSA1-ND
  别名：SP001017078
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R230P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R230P6FKSA1-ND
  别名：SP001017088
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16.8A（Tc） 126W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB60R230P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R230P6ATMA1-ND
  别名：SP001364466
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU20N06TU
  仓库库存编号：FQU20N06TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.8A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16.8A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD20N06TF
  仓库库存编号：FQD20N06TF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.8A（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索