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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600P6ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB07N60C3
  仓库库存编号：SPB07N60C3INCT-ND
  别名：SPB07N60C3INCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA07N60C3
  仓库库存编号：SPA07N60C3IN-ND
  别名：SP000216303
  SPA07N60C3IN
  SPA07N60C3XK
  SPA07N60C3XKSA1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600C6
  仓库库存编号：IPB60R600C6CT-ND
  别名：IPB60R600C6CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600C6
  仓库库存编号：IPD65R600C6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R600C6CT
  IPD65R600C6CT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600C6
  仓库库存编号：IPP60R600C6-ND
  别名：IPP60R600C6XKSA1
  SP000645074
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU07N60C3
  仓库库存编号：SPU07N60C3IN-ND
  别名：SP000101635
  SPU07N60C3-ND
  SPU07N60C3BKMA1
  SPU07N60C3IN
  SPU07N60C3X
  SPU07N60C3XK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP6110SVT-7
  仓库库存编号：DMP6110SVT-7DICT-ND
  别名：DMP6110SVT-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP6110SVT-13
  仓库库存编号：DMP6110SVT-13DICT-ND
  别名：DMP6110SVT-13DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7P20TM
  仓库库存编号：FQB7P20TMCT-ND
  别名：FQB7P20TMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FCD620N60ZF
  仓库库存编号：FCD620N60ZFCT-ND
  别名：FCD620N60ZFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600E6
  仓库库存编号：IPD60R600E6CT-ND
  别名：IPD60R600E6CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7201TRPBF
  仓库库存编号：IRF7201PBFCT-ND
  别名：*IRF7201TRPBF
  IRF7201PBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R600E6
  仓库库存编号：IPA65R600E6-ND
  别名：IPA65R600E6XKSA1
  SP000799140
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7P20TM_F085
  仓库库存编号：FQB7P20TM_F085CT-ND
  别名：FQB7P20TM_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R600C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R600C6BKMA1-ND
  别名：SP000931534
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R600C6ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R600C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R600C6AKMA1-ND
  别名：SP001292878
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD60R600E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600E6ATMA1-ND
  别名：SP001117094
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600E6BTMA1
  仓库库存编号：IPD65R600E6BTMA1CT-ND
  别名：IPD65R600E6BTMA1CT
  IPD65R600E6CT
  IPD65R600E6CT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R600E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R600E6ATMA1-ND
  别名：SP001117096
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R600E6AKMA1
  仓库库存编号：IPS65R600E6AKMA1-ND
  别名：SP001273092
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R600P6ATMA1-ND
  别名：SP001313874
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R600C6CT
  IPB65R600C6CT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600P6XKSA1-ND
  别名：IPP60R600P6
  IPP60R600P6-ND
  SP001017054
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.3A（Tc）,
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