规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600E6XKSA1-ND
别名:IPA60R600E6
IPA60R600E6-ND
SP000797298
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600E6
仓库库存编号:
IPP60R600E6-ND
别名:IPP60R600E6XKSA1
SP000797630
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600C6XKSA1-ND
别名:IPA60R600C6
IPA60R600C6-ND
SP000660624
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R600C6XKSA1-ND
别名:IPA65R600C6
IPA65R600C6-ND
SP000850502
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R600C6XKSA1-ND
别名:IPI65R600C6
IPI65R600C6-ND
SP000850504
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R600E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R600E6XKSA1-ND
别名:IPP65R600E6
IPP65R600E6-ND
SP000850500
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R600C6XKSA1-ND
别名:IPP65R600C6
IPP65R600C6-ND
SP000661310
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP07N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681030
SPP07N60C3
SPP07N60C3IN
SPP07N60C3IN-ND
SPP07N60C3X
SPP07N60C3XK
SPP07N60C3XTIN
SPP07N60C3XTIN-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI07N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI07N60C3XKSA1-ND
别名:SP000680976
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220FP
型号:
SPA07N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA07N65C3XKSA1-ND
别名:SP000216305
SPA07N65C3
SPA07N65C3IN
SPA07N65C3IN-ND
SPA07N65C3XK
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 171W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R065C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R065C7ATMA1-ND
别名:SP001080110
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 7.3A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW8NB100
仓库库存编号:
497-2646-5-ND
别名:497-2646-5
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N10
仓库库存编号:
FQP7N10-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N10L
仓库库存编号:
FQP7N10L-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI7N10TU
仓库库存编号:
FQI7N10TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI7N10LTU
仓库库存编号:
FQI7N10LTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N10LTM
仓库库存编号:
FQB7N10LTM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB7N10TM
仓库库存编号:
FQB7N10TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 200V 7.3A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7P20
仓库库存编号:
FQP7P20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 7.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12P20
仓库库存编号:
FQPF12P20-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 7.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12P20XDTU
仓库库存编号:
FQPF12P20XDTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 7.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12P20YDTU
仓库库存编号:
FQPF12P20YDTU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 220V 7.3A 8HVSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 220V 7.3A(Tc) 50W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PML340SN,118
仓库库存编号:
1727-7221-1-ND
别名:1727-7221-1
568-9717-1
568-9717-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201
仓库库存编号:
IRF7201-ND
别名:*IRF7201
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TR
仓库库存编号:
IRF7201TR-ND
别名:SP001564746
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc),
含铅
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