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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Ta） 107W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB144N12N3 G
  仓库库存编号：IPB144N12N3 GCT-ND
  别名：IPB144N12N3 GCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Ta） 107W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP147N12N3 G
  仓库库存编号：IPP147N12N3 G-ND
  别名：IPP147N12N3G
  IPP147N12N3GXKSA1
  SP000652742
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Ta） 1.6W（Ta），70W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8055-H,LQ(M
  仓库库存编号：TPCA8055-HLQ(M-ND
  别名：TPCA8055-HLQ(M
  TPCA8055HLQM
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Ta）,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 120V 56A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Ta） 168W（Tc） TO-220
  
  型号：TK56E12N1,S1X
  仓库库存编号：TK56E12N1S1X-ND
  别名：TK56E12N1,S1X(S
  TK56E12N1S1X
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120V 56A（Ta） 107W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI147N12N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI147N12N3GAKSA1-ND
  别名：IPI147N12N3 G
  IPI147N12N3 G-ND
  IPI147N12N3G
  SP000652744
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 56A（Ta） 143W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9204PBF
  仓库库存编号：IRF9204PBF-ND
  别名：SP001555810
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Ta）,
• 无铅
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