规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Ta),100A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(5)
分立半导体产品
(5)
筛选品牌
Infineon Technologies (3)
Texas Instruments (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD17311Q5
仓库库存编号:
296-27625-1-ND
别名:296-27625-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Ta),100A(Tc),
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD17303Q5
仓库库存编号:
296-27232-1-ND
别名:296-27232-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Ta),100A(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC016N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC016N03LS GCT
BSC016N03LS GCT-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Ta),100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) SuperSO8
型号:
BSC014N04LS
仓库库存编号:
BSC014N04LSCT-ND
别名:BSC014N04LS-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Ta),100A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),100W(Tc) PQFN(5x6)单芯片焊盘
型号:
IRFH5302TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5302TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5302TR2PBFCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Ta),100A(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号