规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 190A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(7)
分立半导体产品
(7)
筛选品牌
Infineon Technologies (5)
NXP USA Inc. (1)
Taiwan Semiconductor Corporation (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 190A(Tc) 380W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4010TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS4010TRL7PPCT-ND
别名:IRFS4010TRL7PPCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 190A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRLS4030TRL7PP
仓库库存编号:
IRLS4030TRL7PPCT-ND
别名:IRLS4030TRL7PPCT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 190A(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:通孔 N 沟道 190A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
TSM190N08CZ C0G
仓库库存编号:
TSM190N08CZ C0G-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 190A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS4030-7TRL
仓库库存编号:
AUIRLS4030-7TRL-ND
别名:SP001520400
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 190A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRFS4010-7P
仓库库存编号:
AUIRFS4010-7P-ND
别名:AUIRFS40107P
SP001516602
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 190A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS4030-7P
仓库库存编号:
AUIRLS4030-7P-ND
别名:AUIRLS40307P
SP001522310
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 190A(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 190A(Tc) D2PAK
型号:
BUK9C1R3-40EJ
仓库库存编号:
BUK9C1R3-40EJ-ND
别名:934067866118
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 190A(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号