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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP8NK80Z
  仓库库存编号：497-15685-5-ND
  别名：497-15685-5
  STP8NK80Z-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40LCPBF
  仓库库存编号：IRFBC40LCPBF-ND
  别名：*IRFBC40LCPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASPBF-ND
  别名：*IRFBC40ASPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 1.15W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN2026UVT-7
  仓库库存编号：DMN2026UVT-7DICT-ND
  别名：DMN2026UVT-7DICT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 56W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD7N25LZTM
  仓库库存编号：FDD7N25LZTMCT-ND
  别名：FDD7N25LZTMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC40STRLPBFCT-ND
  别名：IRFBC40STRLPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40PBF
  仓库库存编号：IRFBC40PBF-ND
  别名：*IRFBC40PBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40APBF
  仓库库存编号：IRFBC40APBF-ND
  别名：*IRFBC40APBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI630GPBF
  仓库库存编号：IRLI630GPBF-ND
  别名：*IRLI630GPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD06N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD06N60C3INCT
  SPD06N60C3INCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP8NK80ZFP
  仓库库存编号：497-5982-5-ND
  别名：497-5982-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW8NK80Z
  仓库库存编号：497-12807-5-ND
  别名：497-12807-5
  STW8NK80Z-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 142W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N70
  仓库库存编号：FQP6N70-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRFBC40LPBF
  仓库库存编号：IRFBC40LPBF-ND
  别名：*IRFBC40LPBF
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASTRLPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASTRRPBF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD06N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD06N60C3ATMA1-ND
  别名：SP001117770
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA06N60C3
  仓库库存编号：SPA06N60C3IN-ND
  别名：SP000216301
  SPA06N60C3IN
  SPA06N60C3XK
  SPA06N60C3XKSA1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP06N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP06N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000014697
  SPP06N60C3
  SPP06N60C3-ND
  SPP06N60C3IN
  SPP06N60C3IN-ND
  SPP06N60C3X
  SPP06N60C3XK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40
  仓库库存编号：IRFBC40-ND
  别名：*IRFBC40
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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  含铅
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  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC40A
  仓库库存编号：IRFBC40A-ND
  别名：*IRFBC40A
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40AS
  仓库库存编号：IRFBC40AS-ND
  别名：*IRFBC40AS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40S
  仓库库存编号：IRFBC40S-ND
  别名：*IRFBC40S
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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  MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI630G
  仓库库存编号：IRLI630G-ND
  别名：*IRLI630G
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBC40L
  仓库库存编号：IRFBC40L-ND
  别名：*IRFBC40L
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.2A（Tc）,
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