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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 190mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1021R-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1021R-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1021R-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 265mW（Ta），1.33W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：NX7002AK,215
  仓库库存编号：1727-1289-1-ND
  别名：1727-1289-1
  568-10510-1
  568-10510-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BST82,215
  仓库库存编号：1727-4937-1-ND
  别名：1727-4937-1
  568-6229-1
  568-6229-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123NH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSS123NH6433XTMA1CT-ND
  别名：BSS123NH6433XTMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS123NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS123NH6327XTSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS119NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS119NH6327XTSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PH6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS192PH6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS192PH6327FTSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  NX138AK/TO-236AB/REEL 7" Q3/T4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 325mW (Ta) TO-236AB
  
  型号：NX138AKR
  仓库库存编号：1727-2731-1-ND
  别名：1727-2731-1
  568-13295-1
  568-13295-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300H6327XUSA1
  仓库库存编号：BSP300H6327XUSA1CT-ND
  别名：BSP300H6327XUSA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119NH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSS119NH6433XTMA1-ND
  别名：SP000996564
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS192PH6327XTSA1-ND
  别名：SP001195030
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 190mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75A
  
  型号：SI1021R-T1-E3
  仓库库存编号：SI1021R-T1-E3CT-ND
  别名：SI1021R-T1-E3CT
  SI1021RT1E3
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 190mA（Ta） 265mW（Ta），1.33W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：NX7002AKAR
  仓库库存编号：1727-1290-1-ND
  别名：1727-1290-1
  568-10511-1
  568-10511-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327
  仓库库存编号：BSS192PE6327INCT-ND
  别名：BSS192PE6327INCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PE6327T
  仓库库存编号：BSS192PE6327XTINCT-ND
  别名：BSS192PE6327XTINCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 190mA（Ta） 830mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BST72A,112
  仓库库存编号：BST72A,112-ND
  别名：933710530112
  BST72A
  BST72A-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300 E6327
  仓库库存编号：BSP300 E6327-ND
  别名：BSP300E6327T
  SP000011111
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 190mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP300L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP300L6327HUSA1TR-ND
  别名：BSP300 L6327
  BSP300 L6327-ND
  BSP300L6327XT
  SP000089201
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS192PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS192PL6327
  BSS192PL6327INCT
  BSS192PL6327INCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 190mA（Ta）,
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