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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） TO-236
  
  型号：SI2369DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2369DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2369DS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD10N20LZTM
  仓库库存编号：FDD10N20LZTMCT-ND
  别名：FDD10N20LZTMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD10N20LTM
  仓库库存编号：FQD10N20LTMCT-ND
  别名：FQD10N20LTMCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R500CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEIN
  IPD50R500CEIN-ND
  IPD50R500CEINCT
  IPD50R500CEINCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD08N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD08N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD08N50C3ATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R500CE
  仓库库存编号：IPP50R500CEIN-ND
  别名：IPP50R500CEIN
  IPP50R500CEXKSA1
  SP000939326
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP08N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP08N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000681038
  SPP08N50C3
  SPP08N50C3IN
  SPP08N50C3IN-ND
  SPP08N50C3X
  SPP08N50C3X-ND
  SPP08N50C3XK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD50R500CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEAUMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA08N50C3
  仓库库存编号：SPA08N50C3IN-ND
  别名：SP000216306
  SPA08N50C3IN
  SPA08N50C3X
  SPA08N50C3XK
  SPA08N50C3XKSA1
  SPA08N50C3XTIN
  SPA08N50C3XTIN-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） TO-220ABFP
  
  型号：IXKP20N60C5M
  仓库库存编号：IXKP20N60C5M-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08N50C3
  仓库库存编号：SPD08N50C3INCT-ND
  别名：SPD08N50C3INCT
  SPD08N50C3XTINCT
  SPD08N50C3XTINCT-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI08N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI08N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000680984
  SPI08N50C3
  SPI08N50C3-ND
  SPI08N50C3IN
  SPI08N50C3IN-ND
  SPI08N50C3X
  SPI08N50C3XK
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 7.6A（Tc） 1.04W（Ta），62.5W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB65N02RT4G
  仓库库存编号：NTB65N02RT4GOS-ND
  别名：NTB65N02RT4GOS
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU10N20LTU
  仓库库存编号：FQU10N20LTU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD10N20LTF
  仓库库存编号：FQD10N20LTF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU10N20TU
  仓库库存编号：FQU10N20TU-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD10N20TF
  仓库库存编号：FQD10N20TF-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD10N20TM
  仓库库存编号：FQD10N20TM-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU10N20TU_AM002
  仓库库存编号：FQU10N20TU_AM002-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI520N
  仓库库存编号：IRFI520N-ND
  别名：*IRFI520N
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 7.6A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX14NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX14NQ20T,127-ND
  别名：934055773127
  PHX14NQ20T
  PHX14NQ20T-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R500CE
  仓库库存编号：IPA50R500CEIN-ND
  别名：IPA50R500CEIN
  IPA50R500CEXKSA1
  SP000939320
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R500CEATMA1
  仓库库存编号：IPD50R500CEATMA1CT-ND
  别名：IPD50R500CEATMA1CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI08N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPI08N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014461
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.6A（Tc）,
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