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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2312BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2312BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2312BDS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2312BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2312BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2312BDS-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2672
  仓库库存编号：FDS2672CT-ND
  别名：FDS2672CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J327R,LF
  仓库库存编号：SSM3J327RLFCT-ND
  别名：SSM3J327RLFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2318CX RFG
  仓库库存编号：TSM2318CX RFGTR-ND
  别名：TSM2318CX RFGTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2318CX RFG
  仓库库存编号：TSM2318CX RFGCT-ND
  别名：TSM2318CX RFGCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2318CX RFG
  仓库库存编号：TSM2318CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2318CX RFGDKR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2672_F085
  仓库库存编号：FDS2672_F085CT-ND
  别名：FDS2672_F085CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.9A（Ta） 400mW（Ta）, 12.5W（Tc） 4-WLCSP（2x2）
  
  型号：PMCM4401VPEZ
  仓库库存编号：1727-2687-1-ND
  别名：1727-2687-1
  568-13206-1
  568-13206-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 400mW（Ta）, 12.5W（Tc） 4-WLCSP（0.78x0.78）
  
  型号：PMCM440VNEZ
  仓库库存编号：1727-2274-1-ND
  别名：1727-2274-1
  568-12560-1
  568-12560-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2703TRPBF
  仓库库存编号：IRLL2703TRPBFCT-ND
  别名：IRLL2703TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 510mW（Ta）, 3.9W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV50ENEAR
  仓库库存编号：1727-2533-1-ND
  别名：1727-2533-1
  568-12972-1
  568-12972-1-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.9A（Ta） 1.3W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHS5441T1G
  仓库库存编号：NTHS5441T1GOSTR-ND
  别名：NTHS5441T1GOS
  NTHS5441T1GOS-ND
  NTHS5441T1GOSTR
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3A14FQTA
  仓库库存编号：ZXMN3A14FQTA-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3867DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3867DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3867DV-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4446DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4446DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4446DY-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.9A（Ta） 1.3W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHS5441PT1G
  仓库库存编号：NTHS5441PT1G-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6006-H(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPC6006-H(TE85L,F)-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4446DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4446DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4446DY-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.9A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3867DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3867DV-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5441DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5441DC-T1-E3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.9A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5441DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5441DC-T1-GE3-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2703
  仓库库存编号：IRLL2703-ND
  别名：*IRLL2703
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2703TR
  仓库库存编号：IRLL2703TR-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.9A（Ta）,
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