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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2312CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2312CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2312CDS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 1.6W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3433CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3433CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3433CDV-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 1.3W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2338DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2338DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2338DS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2W（Tc） TO-236
  
  型号：SQ2310ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2310ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2310ES-T1-GE3CT
  SQ2310ES-T1-GE3CT-ND
  SQ2310ES-T1_GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5471DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5471DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5471DC-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2323CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2323CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2323CDS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5403DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5403DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5403DC-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD6N50TM_WS
  仓库库存编号：FDD6N50TM_WSCT-ND
  别名：FDD6N50TM_WSCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD8N80K5
  仓库库存编号：497-13643-1-ND
  别名：497-13643-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7N80K5
  仓库库存编号：497-13642-1-ND
  别名：497-13642-1
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP6N120K3
  仓库库存编号：497-12123-ND
  别名：497-12123
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：STW6N120K3
  仓库库存编号：497-12124-ND
  别名：497-12124
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2399DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2399DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2399DS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2329DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2329DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2329DS-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5406CDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5406CDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5406CDC-T1-GE3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7308DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7308DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7308DN-T1-E3CT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP7N80K5
  仓库库存编号：497-13589-5-ND
  别名：497-13589-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP6N50D2
  仓库库存编号：IXTP6N50D2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA6N50D2
  仓库库存编号：IXTA6N50D2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA6N120P
  仓库库存编号：IXFA6N120P-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH6N100
  仓库库存编号：IXFH6N100-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI8N80K5
  仓库库存编号：497-13868-5-ND
  别名：497-13868-5
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N100D2
  仓库库存编号：IXTH6N100D2-ND
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 119W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR825TRPBF
  仓库库存编号：IRFR825TRPBFCT-ND
  别名：IRFR825TRPBFCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R660CFD
  仓库库存编号：IPB65R660CFDCT-ND
  别名：IPB65R660CFDCT
  
  规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）,
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