规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 1.09W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2308BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2308BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2308BDS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 1.09W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2308BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2308BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2308BDS-T1-E3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 2W(Tc) SOT-23(TO-236AB)
型号:
SQ2308CES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2308CES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2308CES-T1_GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R2K1CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU60R2K1CEBKMA1-ND
别名:SP001276064
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R2K1CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEAUMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc)
型号:
SI2324DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2324DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2324DS-T1-GE3CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD3NK50ZT4
仓库库存编号:
497-4333-1-ND
别名:497-4333-1
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 27W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N25
仓库库存编号:
FQPF3N25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 42W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXFP5N100PM
仓库库存编号:
IXFP5N100PM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 22W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL3N65M2
仓库库存编号:
STL3N65M2-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD3NK50Z-1
仓库库存编号:
STD3NK50Z-1-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 2.7W(Tc) SOT-223-4
型号:
IRLM120ATF
仓库库存编号:
IRLM120ATF-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.3A(Tc) 22W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R2K1CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
别名:IPD60R2K1CEBTMA1CT
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.3A(Tc) 21.6W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL60R2K1C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R2K1C6SATMA1-ND
别名:SP001163026
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 250V 2.3A(Tc) 52W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2P25
仓库库存编号:
FQP2P25-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 250V 2.3A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2P25TU
仓库库存编号:
FQI2P25TU-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 2.3A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2P25TM
仓库库存编号:
FQB2P25TM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.3A(Tc) 35W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N50
仓库库存编号:
FQPF4N50-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 2.3A(Tc) 2.5W(Ta),41W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR420BTM
仓库库存编号:
IRFR420BTM-ND
规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Tc),
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