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Microsemi Corporation
POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT200DU120G
仓库库存编号:
APTGT200DU120G-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT200A120G
仓库库存编号:
APTGT200A120G-ND
别名:APTGT200A120GMI
APTGT200A120GMI-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE 1200V 200A
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 240A 1100W Chassis Mount Module
型号:
FF200R12KE4
仓库库存编号:
FF200R12KE4-ND
别名:SP000370604
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE 1200V 200A
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 320A 1100W Chassis Mount Module
型号:
FF200R12KT4HOSA1
仓库库存编号:
FF200R12KT4HOSA1-ND
别名:FF200R12KT4
FF200R12KT4-ND
SP000370618
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE 1200V 200A
详细描述:IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 280A 1000W Chassis Mount Module
型号:
FS200R12KT4RBOSA1
仓库库存编号:
FS200R12KT4RBOSA1-ND
别名:FS200R12KT4R
FS200R12KT4R-ND
SP000715004
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Littelfuse Inc.
IGBT 1200V 290A 1050W PKG D
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 290A 1050W Chassis Mount D3
型号:
MG12200D-BN2MM
仓库库存编号:
F6482-ND
别名:F6482
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 300A 1050W D3
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3
型号:
APTGT200DA120D3G
仓库库存编号:
APTGT200DA120D3G-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 300A 1050W D3
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3
型号:
APTGT200SK120D3G
仓库库存编号:
APTGT200SK120D3G-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 280A 890W SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT200DA120G
仓库库存编号:
APTGT200DA120G-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 280A 890W SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT200SK120G
仓库库存编号:
APTGT200SK120G-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
详细描述:IGBT Module Single 1200V 1040W Chassis Mount Module
型号:
DF200R12KE3
仓库库存编号:
DF200R12KE3-ND
别名:SP000100741
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Single Chopper 1200V 1050W Chassis Mount Module
型号:
FD200R12KE3
仓库库存编号:
FD200R12KE3-ND
别名:SP000083495
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
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Global Power Technologies Group
SILICON IGBT MODULES
详细描述:IGBT Module 2 Independent 1200V 300A 940W Chassis Mount D3
型号:
GSID150A120S3B1
仓库库存编号:
GSID150A120S3B1-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 300A 1040W Chassis Mount D3
型号:
APTGT200A120D3G
仓库库存编号:
APTGT200A120D3G-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT200DH120G
仓库库存编号:
APTGT200DH120G-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
详细描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号:
APTGT200H120G
仓库库存编号:
APTGT200H120G-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
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IXYS
MOD IGBT SIXPACK E+
详细描述:IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 355A 1400W Chassis Mount E+
型号:
MWI225-12E9
仓库库存编号:
MWI225-12E9-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
详细描述:IGBT Module Half Bridge 1200V 300A 900W Chassis Mount POWIR? 62
型号:
IRG7U150HF12B
仓库库存编号:
IRG7U150HF12B-ND
规格:不同?Vce 时的输入电容(Cies) 14nF @ 25V,
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