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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 215A 625W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT150GN120J
  仓库库存编号：APT150GN120J-ND
  别名：APT150GN120JMI
  APT150GN120JMI-ND
  
  规格：不同?Vce 时的输入电容（Cies） 9.5nF @ 25V,
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  无铅
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 215A 625W SOT227
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 215A 625W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT150GN120JDQ4
  仓库库存编号：APT150GN120JDQ4-ND
  
  规格：不同?Vce 时的输入电容（Cies） 9.5nF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 150A 540W Chassis Mount POWIR? 34
  
  型号：IRG5K75HF12A
  仓库库存编号：IRG5K75HF12A-ND
  别名：SP001548080
  
  规格：不同?Vce 时的输入电容（Cies） 9.5nF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOD IGBT 1200V 75A POWIR 34
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 130A 540W Chassis Mount POWIR? 34
  
  型号：IRG5U75HF12A
  仓库库存编号：IRG5U75HF12A-ND
  别名：SP001537352
  
  规格：不同?Vce 时的输入电容（Cies） 9.5nF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOD IGBT 1200V 75A POWIR ECO 2
  详细描述：IGBT Module Full Bridge Inverter 1200V 130A 540W Chassis Mount POWIR ECO 2?
  
  型号：IRG5U75HH12E
  仓库库存编号：IRG5U75HH12E-ND
  别名：SP001542098
  
  规格：不同?Vce 时的输入电容（Cies） 9.5nF @ 25V,
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